合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽 合肥230001
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容, 以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先, 通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析, 进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良, 通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质, 并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌, 获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板, 其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°, 与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺, 在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤, 提升了产能。
高开口率高级超维场转换技术 有机膜 等离子增强化学气相沉积 干法刻蚀 HADS organic film PECVD dry etch
1 北京大学 软件与微电子学院, 北京 100871
2 京东方科技集团股份有限公司, 北京 100176
研究了狭缝光栅开口率和3D串扰之间的关系。先采用固定式的狭缝光栅显示器件进行实验, 发现2%~4%光栅开口率的增加导致了0.2%~2%串扰的增加, 初步验证了“光栅开口率越高, 3D串扰越大”的规律。考虑到2D显示产品的个体性能差异以及在贴合过程中的操作误差都可能对这个结果产生影响, 又用TN 盒制作成活动式狭缝光栅, 通过改变电压来改变狭缝光栅的开口率, 从而在其他条件都一致的情况下, 测试出狭缝光栅透过率和3D串扰之间的关系。对于2视点的裸眼3D设备, 随着控制电压从4 V增大到15 V, 串扰逐步减小了1.6%, 从而最终确认了“开口率越高, 3D串扰越大”的规律。
裸眼3D显示 串扰 狭缝光栅 活动式狭缝光栅 开口率 auto-stereoscopic display crosstalk parallax barrier active barrier opening ratio
1 福州大学 平板显示技术国家地方联合工程实验室, 福建 福州 350116
2 福州大学 物理与信息工程学院, 福建 福州 350116
3 华南师范大学 广东省光信息材料与技术重点实验室, 广东 广州 510006
针对电润湿显示器像素内流体运动机理及相应电光响应特性, 提出一种数值模拟计算方法来计算电润湿中流体间的界面变化及流体-液体-固体三相接触线在外部电场影响下的运动。该方法基于Matlab数值分析框架, 通过Young-Laplace方程计算界面形状变化及变化过程中三相接触角、界面接触面积等参数的变化, 并结合总体能量守恒方程求解像素的电光响应过程。实验结果表明, 该模型成功模拟电润湿显示器像素内电流体动力特性, 像素响应时间与油-水界面张力大小成正比。模拟结果与相同参考几何的实验数据具有良好的定性一致性, 可用来指导电润湿器件中流体参数的设计, 对实现高稳定的电润湿显示器具有重要意义。
电润湿 电光响应 开口率 总体能量守恒 electrowetting optical response aperture ratio overall energy balance Young-Laplace Young-Laplace
1 中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
对电寻址振幅型空间光调制器(SLM)在高功率激光系统中存在的问题进行了分析。理论分析了电寻址空间光调制器的黑栅效应对光束近场光束整形效果的影响, 提出了通过优化空间滤波器的小孔参数获得最佳整形效果的技术方案, 并计算了小孔滤波后的能量利用率。同时, 分析了液晶空间光调制器的开口率对光束整形的影响, 为了提升近场整形精度, 空间光调制器的开口率最好大于64%。研究了纯振幅型空间光调制器调制过程中引入的相位畸变, 从理论分析和实验验证两方面得出了附加相位分布图, 计算得出最大附加相位为0.135λ,对激光装置的影响在可接受范围之内。
光学器件 电寻址调制器 黑栅效应 开口率 附加相位
合肥鑫晟光电科技有限公司，安徽 合肥 230012
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下，通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion 7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显，显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下，达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极 TFT 特性不如底栅极，推测为 a-Si/PVX 界面不佳使得电子导通困难导致，未来可以借由改善a-Si/PVX 界面工艺提升顶栅极 TFT 特性。
高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 双栅极 HADS a-Si TFT dual gate
合肥鑫晟光电科技有限公司，安徽 合肥 230012
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者有比现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）更高的Ion，提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品，倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构，在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低；对于倒反HADS结构，沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域，现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者较低Ioff［Vg=-20 V］，下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。
高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 HADS a-Si TFT Poole-Frenkel Poole-Frenkel
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021
2 中国科学院研究生院,长春,130021
3 吉林北方彩晶数码电子有限公司,长春,130031
讨论了沟道宽(W)和长(L)对薄膜晶体管的开态电流(Ion),关态电流(Ioff)、开口率以及跳变电压(△Vp)的影响.
薄膜晶体管 沟道宽(W) 沟道长(L) 开态电流(Ion) 关态电流(Ioff) 开口率 跳变电压(△Vp)
1 武汉大学电子信息学院光电工程系,武汉,430079
2 武汉中原电子集团有限公司光电子分公司,武汉,430074
LCoS光学引擎作为整个背投的一个重要组成部分,其照明系统显著地影响着LCoS背投的性能.详细分析了影响照明效果的各个因素,并利用ZEMAX软件设计出了单片LCoS光学引擎中基于彩色LED光源的照明系统,该系统能达到较好的亮度和均匀性,满足整个光机系统的成像要求.
硅基液晶背投 微显示技术 高清晰度 开口率 光学引擎 彩色发光二极管光源
1 南开大学信息学院,天津,300071,daiyp@nankai.edu.cn
2 南开大学信息学院,天津,300071
3 北京微电子技术研究所,北京,100076
LCoS是一种反射式微型有源矩阵液晶显示器,其有源矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅衬底上,因而拥有了小尺寸和高显示分辨率的双重特性.本文介绍了LCoS显示器的结构和用途,展示了LCoS显示芯片的设计方法及其实际设计结果,最后综述LCoS的未来市场和现在的生产状况.
硅基液晶 开口率 化学机械抛光 知识产权 liquid crystal on silicon aperture ratio chemical mechanic polishing intelligence propriety
