1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室，江苏 苏州 215123
2 上海科技大学 物质科学与技术学院，上海 201210
3 中国科学院纳米器件与应用重点实验室 江苏省纳米器件重点实验室，江苏 苏州 215123
4 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院，安徽 合肥 230026
为充分发挥AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 (High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)太赫兹探测器阵列的高电子迁移率优势，文中研究了HEMT太赫兹探测器阵列在77 K下的探测特性。使用液氮杜瓦为降温主体搭建了适用于焦平面 (Focal-Plane Array, FPA)芯片的低温系统，实现了对焦平面芯片常温与低温下的对比测试。温度从300 K降到77 K时，探测器阵列像元的平均响应度提高近3倍，平均噪声有小幅增大，340 GHz时平均噪声等效功率 (Noise Equivalent Power, NEP)从45.1 pW/Hz1/2降低到了19.4 pW/Hz1/2，灵敏度提高两倍以上。与硅透镜耦合的单元探测器相比，阵列像元的灵敏度提升仍有较大空间。主要是由于各像素点最佳工作电压的不一致，导致在给定统一工作电压下像元间的响应度和噪声都表现出较大的离散性，文中讨论了降低最佳工作电压离散度的可能解决方案。
太赫兹探测器 低温焦平面 成像芯片 氮化镓HEMT terahertz detector low-temperature focal-plane imaging chip gallium nitride HEMT 红外与激光工程
2022, 51(12): 20220225
针对传统高光谱成像系统体积质量大、光机结构复杂、成本高等缺点，亟待微小型化的需求，开展高光谱成像芯片中布拉格反射镜设计和制备的研究，根据布拉格分布膜系理论开发的多层膜系结构的模拟器，并根据结构设计完成了5层和7层膜系布拉格反射镜的制作，利用可见/近红外分光光度计，对布拉格反射镜的反射率进行测量，与模拟器进行对比，由于布拉格镜的实际制备存在“瑕疵”，导致误差≤3%,多层膜系结构模拟器可以指导实际布拉格反射镜的制备，为高光谱成像芯片化奠定基础。
高光谱成像芯片 布拉格反射镜设计 法珀腔多光束干涉 多层膜系结构 hyperspectral imaging chip DBR design Faber-Pérot cavity multi-beam interference multi-layer film structure 红外与激光工程
2019, 48(10): 1017003
