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研究论文
晶态IGZO薄膜晶体管的研究进展
姜柏齐
1
刘斌
1
刘贤文
1
张硕
1
[ ... ]
喻志农
1,*
作者单位
摘要
1
北京理工大学 光电学院,北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心,北京 100081
2
重庆京东方显示技术有限公司,重庆 400714
3
北京京东方显示技术有限公司,北京 101520
随着显示技术的不断发展,对高性能、高稳定性的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的需求日趋增加,通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前,铟镓锌氧化物(IGZO)材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势,被广泛用于薄膜晶体管的沟道中,而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展,详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构,重点阐述了单晶、
c
轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性,深入分析其微观结构,总结物理特性,阐述不同晶系结构的结晶机理,建立不同晶体结构与电学特性的关系,最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。
晶态IGZO薄膜
薄膜晶体管
晶体结构
研究进展
crystalline IGZO film
thin film transistor
crystal structure
research progress
PDF全文
Full Text
液晶与显示
2023, 38(8): 1031
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