作者单位
摘要
1 中国科学院电工研究所,北京 100190
2 中国科学院大学,北京 100049
目前,国产大功率端窗X射线管存在束流和功率小于设计值的问题。从热电子发射理论和空间电荷受限发射理论出发,对大功率端窗X射线管的束流进行优化研究。在理论仿真中,计算两种理论模型下的电子束轨迹、束流大小和靶面焦斑。计算分析表明,现有问题主要是灯丝附近的电势分布不合理造成的。基于这一分析,对现有结构提出两种优化方案:一种不改变现有结构仅通过改变灯丝电势来克服灯丝附近的空间电荷效应;另一种通过改变灯丝位置来使灯丝附近的加速电压分布更加合理。基于这两种优化方案,再次进行仿真计算,计算结果显示,两种方案可以有效提高现有大功率X射线管的束流。最后设计了验证性实验,测得了该结构在额定最大灯丝电流下的温度限制束流大小,并验证了仿真计算的准确性,同时也验证了提出的两种优化方案的可行性。
X射线源 空间电荷限制 热电子发射 性能优化 
光学学报
2023, 43(22): 2234001
作者单位
摘要
北京工业大学 材料与制造学部, 北京100020
采用中频感应加热烧结方法制备了W-1.5%La2O3-0.1%Y2O3-0.1%ZrO2和W-1.5%La2O3-0.1%Y2O3-0.08%ZrH2电子发射材料,烧结样品的致密度约为95.5%。热电子发射测试结果表明,添加氢化锆的热电子发射材料样品的零场发射电流密度大于添加氧化锆的样品,分析认为是添加的氢化锆在烧结时,发生分解,生成活性的Zr可以捕获钨晶界中的杂质氧,净化晶界,从而提高了电子发射;维氏显微硬度表明添加氢化锆样品的硬度高于添加氧化锆的样品,分析表明是氢化锆的添加有效改善了钨晶粒之间的结合性,提升了钨电子发射材料的硬度。利用SEM,EDS,XRD、金相显微镜等表面分析设备对样品进行了表征,样品结构显示添加氢化锆与添加氧化锆相比,不仅钨晶粒尺寸由13.63 μm降至11.63 μm,而且稀土相尺寸由1.87 μm降至1.66 μm,这种组织结构的变化有利于电子发射。
稀土钨热电子发射材料 晶粒尺寸 第二相尺寸 热电子发射 氢化锆 rare earth tungsten thermionic emission material crystal grain size second phase size thermionic emission zirconium hydride 
强激光与粒子束
2021, 33(10): 104004
作者单位
摘要
南京理工大学 电子工程与光电技术学院, 南京 210094
在光子增强型热电子发射转换机制的理论基础上,研究了NaCsSb真空二极管在光照和加热条件同时作用下的表现。光电转换效率实验测试了在不同波长以及不同温度条件下,NaCsSb真空二极管的电流电压曲线和功率电压曲线,并计算了NaCsSb真空二极管的光电转换效率。实验结果表明,光照和加热条件共同具备时,NaCsSb真空二极管产生的功率约为仅提供光照条件时的两倍多。在同一波长下,加热时的真空二极管转换效率更高。
光子增强型热电子发射 能量转换 真空二极管 PETE energy conversion vacuum photodiode NaCsSb NaCsSb 
半导体光电
2017, 38(2): 189
作者单位
摘要
1 深圳大学机电与控制工程学院, 深圳市模具先进制造技术重点实验室, 广东 深圳 518060
2 深圳大学电子科学与技术学院, 深圳市激光工程重点实验室, 广东 深圳 518060
通过双温模型(TTM)结合Richardson-Dushman方程对多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射以及温度场进行了数值模拟。在模拟的过程中充分考虑了随着飞秒激光脉冲个数的改变,铜箔对飞秒激光的反射率、表面吸收率和表面吸收系数的变化等因素,部分改写了飞秒激光光源项,从而实现了多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射和温度场的动态数值模拟。数值模拟发现,随着脉冲个数的增加和脉冲间隔的减小,铜箔表面的反射率和表面吸收系数将明显减小,表面吸收率将明显增大,这一变化对铜箔的电子发射以及多脉冲飞秒激光照射下铜箔的温度场具有重要影响;而随着距铜箔表面深度的增加,这些影响将逐渐减小。
超快光学 飞秒激光烧蚀 多脉冲 铜箔 双温模型 Richardson-Dushman方程 热电子发射 
激光与光电子学进展
2012, 49(8): 083201
作者单位
摘要
1 深圳信息职业技术学院电子通信技术系, 广东 深圳 518029
2 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室, 北京 100083
III-V族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义, 然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。 采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合I-V测试曲线可建立键合结构的界面态 计算模型。利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键 合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度。实验及计算结果表明疏水处理表面550°C 条件下键合晶片对有更低的 表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的I-V特性。
材料 界面态密度 热电子发射 键合 material interface state density thermionic emission bonding 
量子电子学报
2010, 27(4): 469
作者单位
摘要
1 河南科技大学 理学院,洛阳 471003
2 北京工业大学 材料科学与工程学院,北京 100022
为了研究镧钼阴极表面发射机制,采用专为研究阴极设计的与俄歇能谱仪相连的脉冲激光沉积装置制备薄膜阴极。通过测量阴极发射性能和原位分析表面成分(原子数分数),研究了阴极表面元素镧La和氧O变化对阴极发射性能的影响。实验发现随着阴极表面镧膜变薄,阴极发射性能逐渐减弱;阴极发射性能与表面元素La,O的含量有关,表面层中La/O越高,阴极的发射性能越好。结果表明,传统的单原子层理论无法解释镧钼阴极的发射机制;超额镧在镧钼阴极的发射中起到了关键作用。
激光技术 热电子发射 发射机制 脉冲激光沉积 薄膜 laser technique thermionic emission emission mechanism pulse laser deposition thin film 
激光技术
2008, 32(4): 0357
作者单位
摘要
电子科技大学,光电信息学院,成都,610054
采用多晶LaB6材料制成平板二极管阴极,阳极采用钼材料,阴极采用热传导与热辐射加热,加热体为石墨.实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性,并对热发射稳定性进行了分析.结果表明: 在动态真空系统中, 阴极发射面积为0.012 1 cm2, 工作真空度为2×10-4 Pa, 阴极温度分别为1 600, 1 650和1 700 ℃,在脉冲宽度为40 μs、重复频率为107 Hz的条件下,最大脉冲发射电流密度分别为34.0,44.0和53.8 A/cm2;2×10-4,5×10-4和2×10-3 Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化.
LaB6阴极 热电子发射 强流脉冲加速器 热发射特性 电流密度 
强激光与粒子束
2007, 19(5): 873
作者单位
摘要
华中科技大学激光技术研究院, 湖北 武汉 430074
详细研究了超短脉冲激光与生物组织相互作用的机理 建立了生物软组织中激光诱导光学击穿模型 结果表明 对于纳秒或亚纳秒脉冲激光 强吸收介质的热电子发射对电子雪崩电离过程有很大影响 等离子体光学击穿阈值随生物组织吸收的增加而降低 在激光脉宽为亚皮秒量级时 多光子电离成为光学击穿的主要机制 介质的击穿阈值几乎与线性吸收系数无关. 
中国激光
2004, 31(s1): 296
作者单位
摘要
南京电子器件研究所,南京,210016
OLED是一种主动发光器件,影响器件发光性能的因素很多,如电子流与空穴流间的平衡、发光层内电子与空穴的有效复合、外部注入非平衡载流子的能力等.外部注入非平衡载流子的能力与金属-半导体的界面特性有关.本文基于热电子发射理论论述了电极用金属的功函数与非平衡载流子注入的关系,说明其对OLED发光性能的影响.
功函数 热电子发射 有机电致发光显示器 发光性能 workfunction heat electron emission OLED light emitting performance 
光电子技术
2002, 22(2): 68

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