1 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024
2 山西浙大新材料与化工研究院, 山西 太原 030024
以噻吨酮作为受体、3,6?(二咔唑基)三咔唑作为给体设计合成了一种具有延迟荧光特性的Y型分子(TX?TCz)。模拟计算表明化合物HOMO和LUMO能级完全分离且在苯环上存在较小的重叠,有助于获得小的S1和T1的能级差ΔEST。随着溶剂极性的增加,化合物发射峰发生明显的红移且由于电荷转移态和局域激发态的共存产生了双峰发射。在纯膜中TX?TCz的发射峰位于513 nm,量子产率为11.5%。基于低温下荧光和磷光发射峰,计算得到化合物的ΔEST为0.03 eV,并且检测到μs级的寿命,说明化合物具有延迟荧光发射。与此同时,化合物展示了良好的热稳定性能和电化学性能,有助于制备高性能OLED器件。其在掺杂浓度为5%(wt)的器件中展示了良好的蓝光性能,发射峰位于463 nm,最大外量子效率为1.53%;在非掺杂器件中展示了良好的绿光发射(522 nm),最大外量子效率达到1.81%。
OLED Y型分子 蓝光/绿光 延迟荧光 OLED Y-type structure blue/green light delayed fluorescence
1 东南大学 电子科学与工程学院,南京20096
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京10016
选用半导体LT7911D以及LT9211芯片作为显示桥接芯片,采用Type‑C接口集成供电、数据传输、音视频信号传输功能,调试简便,工艺成熟,无需占用大量面积,有利于整个系统的小型化,实现了一种基于STC单片机的微像源驱动系统以及显示驱动的国产化芯片方案。同时采用一种快速自适应 Gamma校正算法,提高了微像源显示效果,使其更好应用于头戴式显示领域。
微型有机发光二极管 头戴式 国产化芯片 伽马校正 Micro OLED head-mounted domestic chip Gamma correction
Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
2 Institute for Advanced Study, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China
Close-space sublimation (CSS) has been demonstrated as an alternative vacuum deposition technique for fabricating organic light-emitting diodes (OLEDs). CSS utilizes a planar donor plate pre-coated with organic thin films as an area source to rapidly transfer the donor film to a device substrate at temperatures below 200 °C. CSS is also conformal and capable of depositing on odd-shaped substrates using flexible donor media. The evaporation behaviors of organic donor films under CSS were fully characterized using model OLED materials and CSS-deposited films exhibited comparable device performances in an OLED stack to films deposited by conventional point sources. The low temperature and conformal nature of CSS, along with its high material utilization and short process time, make it a promising method for fabricating flexible OLED displays.
close-space sublimation OLED thin film low temperature vacuum deposition Journal of Semiconductors
2023, 44(9): 092602
1 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西 太原 030024
2 江苏三月科技股份有限公司,江苏 无锡 214112
使用正性光敏聚酰亚胺(PSPI)和光刻技术制备了一系列不同图案化的有机发光二极管(OLED)器件,以铂八乙基卟啉(PtOEP)作为分子温度探针探究不同图案化OLED所产生的热效应,并进一步研究不同热效应对OLED器件的影响。结果表明,像素尺寸在500 μm以下时,器件工作中产生的热效应与像素尺寸呈正相关,且与线宽和总开口面积无关;而像素尺寸达到500 μm以上时,器件中产生的热效应没有进一步增长。其中5 μm孔径的像素在室温10 mA/cm2电流密度下工作时,器件的温度为303.29 K,而相同条件下像素尺寸为 2 000 μm时,器件温度可高达314.65 K;当环境温度升至323.15 K时,器件所产生的热效应呈现相同的趋势。具有不同热效应器件的外量子效率曲线表明,器件温度的升高导致外量子效率降低,其原因是温度升高导致载流子迁移速率加快,但同时也使三线态激子之间及激子与极化子之间的碰撞概率升高,从而加剧激子猝灭,导致效率下降。
图案化OLED PtOEP 分子温度探针 结温 patterned OLED PtOEP molecular temperature probe junction temperature
1 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海 200072
2 上海大学 微电子学院,上海 200444
3 上海大学 材料科学与工程学院,上海 200444
有机发光二极管(OLED)由于具有结构简单、发光效率高、制造工艺简单和厚度超薄的特点,结合柔性基底可以制备具有弯曲和折叠功能的柔性OLED器件,在柔性显示、柔性照明等领域发挥了重要作用。在承受以弯曲为主的外加载荷时,柔性OLED器件中的无机薄膜很容易出现裂纹、脱层和屈曲等形式的失效,这些失效会使器件的导电性下降并破坏器件原有的结构,从而影响器件的效率与可靠性。中性层的使用能够有效减小器件关键部位的应变,从而减轻或消除失效,器件在弯曲状态下的可靠性也得以提高。近年来,一系列基于柔性OLED器件中性层的研究被陆续报道。本文综述了中性层技术在柔性OLED器件上的应用。首先,讨论了中性层的概念以及单个中性层位置的确定方法;其次,介绍了单个中性层和多个中性层在实际器件中的应用;最后,对柔性OLED器件未来的发展方向做出了展望。
柔性OLED器件 中性层 弯曲半径 黏附层 flexible OLED device neutral layer bending radius adhesion layer
宁波大学 信息科学与工程学院,浙江 宁波 315211
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器的亮度、色域和显示不均(Mura)等特性与其驱动电流息息相关。为了实现封装后OLED电流的无损检测,本文建立了一种基于隧道磁阻(Tunneling Magnetoresistance,TMR)效应的OLED电流无损检测方法。首先,根据OLED显示器亮度与驱动电流的关系,得到一行像素全部点亮时的驱动电流是40 mA,通过仿真分析40 mA电流的空间磁场分布,估算出TMR磁传感器的灵敏度指标要求。然后,选择TMR2922作为磁传感器,实验研究了点亮双行、多行和单列像素时,显示器磁场与电流的关系、屏幕电磁兼容问题和传感器灵敏度问题。最后,对比分析了不同驱动电流下,TMR2922的磁场数据和Hyperion色度计的光学数据。仿真表明,高度为1.5 mm时磁场传感器的噪声要优于1.1 nT/;实验结果表明,在无屏蔽环境下TMR2922可以检测出OLED mA级的行电流,对于μA级的列电流需要灵敏度更高的磁传感器。
隧道磁阻传感器 OLED 电流检测 电磁兼容 tunneling magnetoresistance sensor OLED current detection electromagnetic compatibility
1 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司, 云南 昆明 650223
2 昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
采用两种覆盖层 CPL(Capping layer)材料 Alq3和 ZnSe制备了顶发射白光有机电致发光器件 TE-OLEDs(Top emitting white organic light-emitting diodes), 器件结构为 ITO/NPB:LiQ (5%) (10 nm) /TCTA(20nm)/FIrpic+3.5%Ir(ppy)3+0.5%Ir(MDQ)2(acac)(25nm)/TPBI(10nm)/LiF(5nm)/Mg: Ag(10%) (12 nm)/CPL。实验结果表明, Alq3和 ZnSe作为 CPL可以增强 TE-OLED器件的出光和调制光谱特性, 并且 ZnSe作为覆盖层制备的 TE-OLED器件色坐标(CIEX, CIEY)随亮度变化更平稳, 表现出良好的色稳定性。进一步, 通过改变 ZnSe厚度来优化器件, 当 ZnSe为 45 nm时, 器件获得了最佳的亮度和电流效率, 分别为 1461 cd/cm2和 7.38 cd/A, 色坐标为(0.30, 0.33)。
顶发射白光微型 OLED 覆盖层 光电特性 色坐标 top emitting white OLED capping layer photoelectric property CIEX CIEY