多晶硅熔丝是一种单次可编程(OTP)的非易失存储单元，常用于集成电路的修调，确保电路在PVT下性能稳定。对传统熔丝修调电路进行了改进，设计了一种常规修调电压下高可靠的硅化物多晶熔丝修调电路。该电路具有功耗低、易扩展和复用性强等优点。基于0.25 μm CMOS工艺流片测试，该电路在3.3 V电压下实现了14位DAC高31位温度计码恒流源的修调。

提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征，并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管，测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸，且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性，可以有效地减小漏电流, 同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少。

在不同电子相关水平上基于相对论和非相对论赝势,对含重金属硅化物SiM(M=Au,Ag,Cu)的基态几何结构和光谱特性进行了研究,并讨论了电子相关效应和相对论效应的影响.结果表明:重金属硅化物SiM(M=Au,Ag,Cu)的基态电子状态是2Π.电子相关效应缩短了金属硅化物的键长,提高了分离能,谐振频率也增加,使SiM(M=Au,Ag,Cu)的结构变得更加紧凑,基态更加稳定.相对论效应加强了它的强度,使三种硅化物更加稳定.相对论作用的顺序为AuSi>AgSi>CuSi.

设计并采用激光熔炼工艺制备出镍基固溶体γ增韧的Mo2Ni3Si三元金属硅化物合金。差式扫描量热分析(DSC)及高温金相实验表明，该合金共晶温度约1287 ℃，液相线温度约1355 ℃。研究了该Mo2Ni3Si合金在炉冷、水冷及激光表面熔凝条件下的凝固组织。结果表明，在炉冷及水冷条件下，随着凝固冷却速度的提高，合金中Mo2Ni3Si初生枝晶体积分数降低、二次枝晶臂间距减小，但激光表面快速熔凝合金中Mo2Ni3Si初生枝晶体积分数急剧增加 (62%)。激光表面快速熔凝γ/Mo2Ni3Si合金由于组织细小，且基体γ相被Mo及Si元素过饱和固溶，具有最优异的力学性能(显微硬度600HV)；炉冷Mo2Ni3Si合金凝固组织初生枝晶上分布着许多显微裂纹，且显微组织为粗大的二相组织，力学性能较差。

利用预涂NiCr-Si复合粉末对TiAl合金进行激光熔覆处理,分析了原始TiAl合金和激光熔覆复合材料涂层的耐磨性能和高温抗氧化性能,讨论了磨损和高温抗氧化机理及其与预涂合金粉末成分的关系。结果表明,涂层的滑动磨损和耐磨性能有提高,但当耐磨相体积分数过高时,由于涂层脆性增大,其耐磨性呈下降趋势;涂层在1000 ℃恒温氧化条件下均具有较好的抗氧化性能,氧化层结构较连续致密,主要由α-Al2O3,TiO2和SiO2组成。预涂NiCr-40%Si混合合金粉末的激光熔覆复合材料涂层具有更好的耐磨性和高温抗氧化性能。

以Ni、Si元素粉末为原料,利用激光熔覆技术在A3钢表面制得了Ni31Si12/FeNi金属硅化物复合材料涂层.分析了该涂层显微组织,采用测定阳极极化曲线的方法评价了该涂层在0.5mol/l H2SO4水溶液中的耐蚀性能,考察了添加少量合金元素Cr对涂层耐酸腐蚀性能的影响.结果表明:激光熔覆Ni31Si12/12/FeNi金属硅化物复合材料涂层组织由带状Ni31Si12初生相及带间FeNi/Ni31Si12/12共晶组成,涂层表面平整、组织细小、与基体间为完全冶金结合;涂层组织显微硬度在HV650-750之间,沿层深分布均匀;涂层组织组成相Ni31Si12/、FeNi本身具有良好的耐酸腐蚀性能,具有快速凝固成分均匀的显微组织.激光熔覆Ni31Si12//FeNi金属硅化物复合材料涂层在H2SO4水溶液中表现出良好的耐蚀性.合金元素Cr的添加进一步提高了涂层的耐酸腐蚀性能.

一些硅的化合物具有良好的场发射特性，如果用作FEA发射微尖表面的薄膜，将能较好地提高FEA的发射特性。本文对这一类硅化物的制作、测量与性能作了说明。

提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和NiSi2膜.AES和XPS分析给出膜层的组分和深度浓度分布.通过对实验参量的分析认为,不同终相的形成与共晶过程有关.