大面积塑料闪烁体广泛运用于辐射监测领域，采用信号过阈检测的方式用作辐射计数器。过阈检测阈值电压的大小影响探测效率和最小可探测活度。射线入射在大面积塑料闪烁体不同位置时，收集端对光子的收集效率不同，存在探测效率一致性差异。根据大面积塑料闪烁体本底能谱和⁶⁰Co、¹³⁷Cs源在大面积塑料闪烁体不同位置的能谱，以⁶⁰Co源数据为例，结合处理电路信号放大关系，确定了合适的阈值电压。结果表明：上述方法确定的阈值电压，大面积塑料闪烁体探测器探测效率一致性较好，远离收集端有较高的探测效率，同时最小可探测活度较低。

能量分辨中子成像谱仪是中国散裂中子源当前在建的谱仪之一，其衍射探测器90°分区采用⁶LiF/ZnS中子闪烁体探测器作为探测设备。为实现探测器高位置分辨，读出电子学系统采用了一种电容网络复合读出电路和电荷重心法相结合的实现方法，并研制了电子学样机。该样机由电容网络复合读出电路、前置放大板和数字读出板三部分组成，基本功能验证完成后，分别在实验室和中国散裂中子源的20号束线上进行了相关性能参数测试，测试结果显示：电子学的积分非线性≤0.95%，时间分辨约为12 ns；探测器位置分辨为1 mm、探测效率为65%@1.6 ?，均达到了工程设计指标。该样机的成功研制为能量分辨中子成像谱仪未来顺利开展谱仪实验提供了可靠的技术保障。

采用高温固相法制备了双钙钛矿结构的Ba₂LuNbO₆∶xTb³⁺（x = 0.01，0.02，0.05，0.10，0.20）闪烁体材料，并系统地研究了其晶体结构、形貌和X射线激发的光学性能。研究表明，在X射线激发下，Ba₂LuNbO₆∶Tb³⁺的发射光谱主要由Tb³⁺的特征发射组成，其中最强发射峰位于545 nm处。X射线发射（RL）强度随Tb³⁺浓度的增加逐渐增大，当x= 0.1时发射强度达到最大值。此外，X射线辐照5 min后的热释光（TL）曲线显示该样品存在位于T₁（377 K）和T₂（460 K）的两个陷阱。其陷阱深度分别为0.754 eV和0.920 eV，这表明该材料具有潜在的X射线信息存储性能。因此，我们可通过加热或者980 nm激光二极管激发，有效诱导读出存储在深陷阱中的载流子，实现高亮度光激励发光（PSL）和热刺激发光（TSL）。基于此，由Ba₂LuNbO₆∶Tb³⁺与聚二甲基硅氧烷（PDMS）所制备的柔性闪烁体薄膜，在低X射线剂量辐照下表现出优异的X射线成像分辨率（12.5 lp/mm）以及延时成像特性。以上结果表明，所制备的Ba₂LuNbO₆∶0.1Tb³⁺在X射线探测和X射线信息存储方面具有潜在的应用前景。

近年来，有机?无机杂化金属卤化物材料由于其优异的光电性质引起了研究人员的广泛关注。其中低维铜（Ⅰ）基卤化物作为高效发光材料的代表，在照明与显示、辐射探测等领域表现出良好的应用前景。有机无机杂化铜（Ⅰ）基卤化物的组成和结构丰富多变，给研究人员提供了巨大的研究空间。本文综述了有机?无机杂化铜（Ⅰ）基卤化物作为发光材料的研究进展，并以［CuX_n］（X=Cl，Br，I）结构单元及其连接方式为依据，对离子型有机?无机杂化铜（Ⅰ）基卤化物进行了系统的分类，总结了其组成?结构?性质之间的构效关系。讨论了有机?无机杂化铜（Ⅰ）基卤化物的发光机制和光物理过程，并重点归纳了用于X射线探测的有机?无机杂化铜（Ⅰ）基卤化物闪烁体的最新进展。最后，对这一新兴的研究领域做出了展望。