研究了导带不连续性对InGaAsP/InGaAs单行载流子高速光探测器(UTCPD)的3dB带宽的影响。研究结果表明，由于导带不连续性的存在，使得3dB带宽降低。导带不连续性越大，3dB带宽越低。通过增加隧穿系数、收集层厚度、收集层掺杂浓度和减小吸收层掺杂浓度可以在一定程度上消除导带不连续性带来的不利影响。研究结果还表明，增加隧穿系数、收集层厚度和减小吸收层掺杂浓度这三种方法在消除导带不连续性不利影响的同时又有各自的缺点，而适当增加收集层掺杂浓度是最为有效的一种方式。该研究结果可以为UTCPD的设计提供理论指导，特别是采用UTC结构的波导型光电二极管。
高速光探测器 导带不连续性 单行载流子 带宽 highspeed photodetector conduction band discontinuity unitravelingcarrier bandwidth
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
提出了一种高速光探测器封装优化设计的新方法。首先用矢量网络分析仪对封装寄生参量和探测器芯片进行准确测量,研究了探测芯片的本征参量与封装寄生参量之间的谐振现象,然后合理利用这种谐振效应对芯片的频率响应特性进行有效补偿。理论分析和实验结果都证明优化封装后器件的频率响应带宽超过了芯片的响应带宽。该方法不需要另加其它元件,而仅仅利用光电器件封装过程中必不可少的金丝所带来的寄生电感,就达到了改善器件频率响应特性的目的。
高速光探测器 封装设计 寄生参量 频率响应
