光电子技术, 2019, 39 (1): 21, 网络出版: 2019-04-11
H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究
Fabrication of Self-aligned Top-gate a-IGZO TFT with Source-drain Doped by Hydrogen Diffusion
基本信息
| DOI: | 10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.01.005 |
| 中图分类号: | TN386.1 |
| 栏目: | 研究与试制 |
| 项目基金: | 中国博士后科学基金资助项目(20080430096) |
| 收稿日期: | 2018-11-06 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2019-04-11 |
| 通讯作者: | 付海时 (1701213515@sz.pku.edu.cn) |
| 备注: | -- |
付海时, 彭昊, 张晓东, 张盛东. H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究[J]. 光电子技术, 2019, 39(1): 21. FU Haishi, PENG Hao, ZHANG Xiaodong, ZHANG Shengdong. Fabrication of Self-aligned Top-gate a-IGZO TFT with Source-drain Doped by Hydrogen Diffusion[J]. Optoelectronic Technology, 2019, 39(1): 21.
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