光电子技术, 2019, 39 (1): 21, 网络出版: 2019-04-11  

H扩散掺杂源漏的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究

Fabrication of Self-aligned Top-gate a-IGZO TFT with Source-drain Doped by Hydrogen Diffusion
作者单位
北京大学 薄膜晶体管与先进显示重点实验室, 广东 深圳 518055
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