人工晶体学报, 2020, 49 (4): 570, 网络出版: 2020-06-15
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN304.2;O782 |
| 栏目: | 研究论文 |
| 项目基金: | 陕西省重点研发计划项目（2018ZDXM-GY-003） |
| 收稿日期: | -- |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2020-06-15 |
| 通讯作者: | 蒲红斌 (puhongbin@xaut.edu.cn) |
| 备注: | -- |
刘兵, 蒲红斌, 赵然, 赵子强, 鲍慧强, 李龙远, 李晋, 刘素娟. 高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570. LIU Bing, PU Hongbin, ZHAO Ran, ZHAO Ziqiang, BAO Huiqiang, LI Longyuan, LI Jin, LIU Sujuan. Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(4): 570.
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