人工晶体学报, 2020, 49 (4): 570, 网络出版: 2020-06-15
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal
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刘兵, 蒲红斌, 赵然, 赵子强, 鲍慧强, 李龙远, 李晋, 刘素娟. 高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570. LIU Bing, PU Hongbin, ZHAO Ran, ZHAO Ziqiang, BAO Huiqiang, LI Longyuan, LI Jin, LIU Sujuan. Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(4): 570.