高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究

刘兵; 蒲红斌; 赵然; 赵子强; 鲍慧强; 李龙远; 李晋; 刘素娟

人工晶体学报, 2020, 49 (4): 570, 网络出版: 2020-06-15

高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究

Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal

刘兵 ^1,2,3蒲红斌 ^1,3,*赵然 ²赵子强 ²鲍慧强 ²李龙远 ²李晋 ²刘素娟 ²

作者单位

¹ 西安理工大学自动化与信息工程学院，西安 710048

² 中科钢研节能科技有限公司，北京 100081

³ 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048

图 & 表

刘兵, 蒲红斌, 赵然, 赵子强, 鲍慧强, 李龙远, 李晋, 刘素娟. 高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570. LIU Bing, PU Hongbin, ZHAO Ran, ZHAO Ziqiang, BAO Huiqiang, LI Longyuan, LI Jin, LIU Sujuan. Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(4): 570.