人工晶体学报, 2020, 49 (4): 570, 网络出版: 2020-06-15
高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究
Study on the Growth of High Quality 6-Inch N-type 4H-SiC Single Crystal
PVT 法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质 PVT method 6-inch N-type 4H-SiC numerical simulation temperature distribution crystal quality
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