激光与光电子学进展, 2019, 56 (6): 060001, 网络出版: 2019-07-30
AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径 下载: 2247次封面文章
Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
基本信息
DOI: | 10.3788/LOP56.060001 |
中图分类号: | TN312+.8 |
栏目: | 综述 |
项目基金: | 国家自然科学基金、河北省自然科学基金、天津市自然科学基金、人社部留学人员科技活动项目择优资助优秀类、河北省计划项目、河北省高校百名优秀创新人才支持计划(SLRC2017032)、 |
收稿日期: | 2018-09-11 |
修改稿日期: | 2018-10-28 |
网络出版日期: | 2019-07-30 |
通讯作者: | 张勇辉 (zhangyh@hebut.edu.cn), 张紫辉 (zh.zhang@hebut.edu.cn) |
备注: | -- |
田康凯, 楚春双, 毕文刚, 张勇辉, 张紫辉. AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(6): 060001. Kangkai Tian, Chunshuang Chu, Wengang Bi, Yonghui Zhang, Zihui Zhang. Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(6): 060001.