激光与光电子学进展, 2019, 56 (6): 060001, 网络出版: 2019-07-30   

AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径 下载: 2249次封面文章

Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
田康凯 1,2楚春双 1,2毕文刚 1,2张勇辉 1,2,**张紫辉 1,2,*
作者单位
1 河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所, 天津 300401
2 天津市电子材料和器件重点实验室, 天津 300401
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田康凯, 楚春双, 毕文刚, 张勇辉, 张紫辉. AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(6): 060001. Kangkai Tian, Chunshuang Chu, Wengang Bi, Yonghui Zhang, Zihui Zhang. Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(6): 060001.

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