1 河北工业大学电子信息工程学院 天津市电子材料与器件重点实验室， 天津 300401
2 河北工业大学 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室， 天津 300401
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明，当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大到10-30 cm6·s-1时，俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10-29 cm6·s-1时，俄歇复合对效率衰退有显著的影响。然而，对于AlGaN材料而言，俄歇复合系数很难达到10-29 cm6·s-1。此外，本研究还发现，即使设置的俄歇复合系数等于10-32 cm6·s-1，DUV LED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大。因此，这进一步证明了电子泄漏是导致DUV LED效率衰退的主要因素。此外，本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUV LED的效率衰退问题，这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子，降低了电子从有源区中泄漏的几率。
深紫外发光二极管 俄歇复合 电子泄漏 空穴注入 效率衰退发 DUV LED Auger recombination electron leakage hole injection efficiency droop
1 河北工业大学 电子信息工程学院, 天津 300401
2 中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心, 北京 100083
利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜, 分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别, 并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-Ga2O3基日盲紫外探测器, 在260nm光照及10V偏压下, 器件的响应度为16.9A/W, 外量子效率为8×103%, 探测率D*达到了2.03×1014Jones, 能够满足弱光信号的探测需求。此外, 器件的瞬态响应具有非常好的稳定性, 相应的上升时间为0.75s/4.56s, 下降时间为0.37s/3.48s。
热氧化 电化学腐蚀 深紫外探测器 thermal oxidization electrochemical etching β-Ga2O3 β-Ga2O3 solar-blind photodetector GaN GaN
1 河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所, 天津 300401
2 天津市电子材料和器件重点实验室, 天津 300401
国家自然科学基金、河北省自然科学基金、天津市自然科学基金、人社部留学人员科技活动项目择优资助优秀类、河北省计划项目、河北省高校百名优秀创新人才支持计划;
光学器件 AlGaN 深紫外发光二极管 外量子效率 空穴注入效率 光输出功率 激光与光电子学进展
2019, 56(6): 060001
Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Micro-Nano Photoelectron and Electromagnetic Technology Innovation, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China
2 Key Laboratory of Electronic Materials and Devices of Tianjin, Tianjin 300401, China
3 Semiconductor Lighting Technology Research and Development Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
A versatile nanosphere composite lithography (NSCL) combining both the advantages of multiple-exposure nanosphere lens lithography (MENSLL) and nanosphere template lithography (NSTL) is demonstrated. By well controlling the development, washing and the drying processes, the nanosphere monolayer can be well retained on the substrate after developing and washing. Thus the NSTL can be performed based on MENSLL to fabricate nanoring, nanocrescent and hierarchical multiple structures. The pattern size and the shape can be systemically tuned by shrinking nanospheres by using dry etching and adjusting the tilted angle. It is a natural nanopattern alignment process and possesses a great potential in the scope of nano-science due to its low cost, simplicity, and versatility for variuos nano-fabrications.
220.4241 Nanostructure fabrication 110.4235 Nanolithography Chinese Optics Letters
2017, 15(6): 062201
