中国激光, 2019, 46 (4): 0403002, 网络出版: 2019-05-09   

退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响 下载: 1435次

Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film
作者单位
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
引用该论文

郭德双, 陈子男, 王登魁, 唐吉龙, 方铉, 房丹, 林逢源, 王新伟, 魏志鹏. 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响[J]. 中国激光, 2019, 46(4): 0403002.

Deshuang Guo, Zinan Chen, Dengkui Wang, Jilong Tang, Xuan Fang, Dan Fang, Fengyuan Lin, Xinwei Wang, Zhipeng Wei. Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film[J]. Chinese Journal of Lasers, 2019, 46(4): 0403002.

引用列表
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4、 模压硫系玻璃元件红外增透膜的研制光学学报, 2021, 41 (20): 2031003
5、 脉冲激光制备纳米材料研究进展激光与光电子学进展, 2021, 58 (9): 0900007
6、 快速电沉积氧化锌纳米柱及其非辐射复合光学学报, 2020, 40 (16): 1616001

郭德双, 陈子男, 王登魁, 唐吉龙, 方铉, 房丹, 林逢源, 王新伟, 魏志鹏. 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响[J]. 中国激光, 2019, 46(4): 0403002. Deshuang Guo, Zinan Chen, Dengkui Wang, Jilong Tang, Xuan Fang, Dan Fang, Fengyuan Lin, Xinwei Wang, Zhipeng Wei. Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film[J]. Chinese Journal of Lasers, 2019, 46(4): 0403002.

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