中国激光, 2019, 46 (4): 0403002, 网络出版: 2019-05-09
退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响 
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Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film
基本信息
| DOI: | 10.3788/CJL201946.0403002 |
| 中图分类号: | O484 |
| 栏目: | 材料与薄膜 |
| 项目基金: | 国家重点研发计划、国家自然科学基金、吉林省科技发展计划、长春理工大学科技创新基金（XJJLG-2016-11,XJJLG-2016-14）、 |
| 收稿日期: | 2018-11-19 |
| 修改稿日期: | 2018-12-13 |
| 网络出版日期: | 2019-05-09 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
郭德双, 陈子男, 王登魁, 唐吉龙, 方铉, 房丹, 林逢源, 王新伟, 魏志鹏. 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响[J]. 中国激光, 2019, 46(4): 0403002. Deshuang Guo, Zinan Chen, Dengkui Wang, Jilong Tang, Xuan Fang, Dan Fang, Fengyuan Lin, Xinwei Wang, Zhipeng Wei. Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film[J]. Chinese Journal of Lasers, 2019, 46(4): 0403002.
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