氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

孙建明; 周婷婷; 任庆荣; 胡合合; 陈宁; 宁策; 王路; 刘文渠; 李东升

doi:doi:10.3788/yjyxs20163106.0558

液晶与显示, 2016, 31 (6): 558, 网络出版: 2016-11-14

氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响

Effect of oxygen partial pressure on the performance of indium gallium zinc oxide thin film transistor

孙建明 ^*周婷婷任庆荣胡合合陈宁宁策王路刘文渠李东升

作者单位

京东方科技集团股份有限公司, 北京１００１７６

补充材料

孙建明, 周婷婷, 任庆荣, 胡合合, 陈宁, 宁策, 王路, 刘文渠, 李东升. 氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(6): 558. SUN Jian-ming, ZHOU Ting-ting, REN Qing-rong, HU He-he, CHEN Ning, NING Ce, WANG Lu, LIU Weng-qu, LI Dong-seng. Effect of oxygen partial pressure on the performance of indium gallium zinc oxide thin film transistor[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(6): 558.