C60高度的分子对称性使其能带间的电子跃迁被禁止,导致其发光很弱.为了提高C60纳米晶的发光强度,采用挥发C60的芳香烃饱和溶液的方法,一步合成了芳香烃溶剂化的C60纳米晶.实验结果表明,有机溶剂的掺杂在不同程度上增强了C60纳米晶的发光,其原因可能是溶剂的掺杂破坏了C60 的高度的分子对称性.

采用聚焦离子束制备了500nm和1.5μm周期两种结构, 使GaN基LED光效显著提高。比较长、短周期光子晶体提高光效的程度、制备工艺、设备及其相应的成本，宜采用长周期光子晶体结构来提高蓝光GaN基LED的发光效率。采用聚焦离子束和激光干涉两种方法，在GaN基LED导电层（ITO）上制备了长周期光子晶体，利用光纤光谱仪、显微镜和功率计对光提取效率进行了实验测试，结果表明长周期光子晶体LED比无光子晶体LED的光提取效率提高了90%以上。还采用激光干涉直写方法，以扫描的方式在较大面积上制备了光子晶体LED, 确认了该方法及工艺批量化、低成本制备光子晶体的可行性。聚焦离子束方法虽然能够产生较精确的光子晶体图形，但由于耗时长、效率低、成本高等问题，仅适于在实验研究中选择和优化光子晶体的结构和参数。

研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态, 以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征, 结果显示, 随着SiNx掩模淀积时间的增加, 其上生长的GaN应力会相应地, 释放。相应地,低温光致发光测试显示, 施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为, 随着SiNx掩模淀积时间的增加, 掩模覆盖度的增大, 促进了侧向外延的生长, 释放了压应力, 进而影响了材料的光学性质。

采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量。另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度。研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度。