在采用柴式(Czochralski, CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中，掺杂剂—— As具有较强的蒸发性。 为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响，需要测定As的蒸发速率常数。通过实验测量 给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线，然后对实验曲线进行了线性回归分析，得到了 重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43×10－4 cm/s)。该结果在实际应用中被验证是正确而有 效的，这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义。

论述了用激光干涉仪测量石英玻璃光学均匀性时测量范围扩展的问题。通过理论研究和实际测量, 完成了用180mm孔径干涉仪测量300mm孔径石英玻璃光学均匀性这一目标, 为实现用300mm孔径干涉仪测量直径500mm石英玻璃的光学均匀性测量问题奠定了理论与实践的基础。实验通过建立光学均匀性测量范围扩展的数学模型, 采用最小二乘法误差消除方法, 每步波面分别计算, 最后四步合成。创新性地设计了移动测量载物调整装置, 实现了高精度多维调整。采用8个子孔径就3块圆形玻璃进行了测试, 就拼接测量结果与直接全口径测量结果进行了对标, 其拼接波面的均匀性绝对误差平均值分别为0.13×10-5、0.14×10-5、0.03×10-6。

为实现大尺寸光学材料折射率均匀性的高精度、低成本检测，提出一种基于子孔径拼接技术的干涉绝对测量方法，并研制了一套由Zygo干涉仪、五维气浮调整平台、子孔径拼接软件、计算机等组成的测量计算系统。待测件安放在精密的五维气浮调整架上，通过移动调整架来对各个子孔径区域进行精密检测，再利用子孔径拼接软件自动拼接计算出全口径待测件的光学均匀性分布。对直径为300 mm的石英待测件进行了口径为180 mm的8个子孔径拼接检测实验，并将拼接所得结果与全口径干涉仪直接测量的结果进行了分析和比较，波面峰谷值相对误差为0.21%，光学均匀性值相对误差为0.23%，精度与大口径干涉仪直接测量的精度相当，实现了绝对检验下的平面类波前子孔径拼接技术的实用化。整套系统集光、机、电、算于一体，操作简便，测量精度高。

提出用具有特定折射率调制包络的线性啁啾长周期光纤光栅作为掺铒光纤放大器(EDFA)的增益平坦滤波器.采用龙格库塔迭代法数值求解该类型光栅耦合模方程，就特定的掺铒光纤放大器增益谱，用Nelder-Mead优化算法对光栅结构参量(光栅长度、周期、线性啁啾系数、折射率调制包络的形状等)进行优化，设计出能在C波段35 nm带宽范围内对掺铒光纤放大器进行平坦化(增益起伏在±0.5 dB之内)的平坦滤波器.

为实现高精度量块表面粗糙度的快速、无损伤、自动化检测,研制了一套基于干涉图像处理的表面粗糙度检测系统。系统由干涉显微镜、数字CCD 摄像头和计算机组成。待测量块表面经干涉显微镜所成的干涉图像由数字CCD 摄像头采集并传输到计算机中,利用数字图像处理技术,对干涉条纹的边缘和中线进行提取,计算出量块表面粗糙度评定参数。提供了实测结果和测量不确定度评定,由测量重复性引起的不确定度为0.9 nm,总的展伸不确定度为3 nm。

为实现铟钢尺刻线分划误差的自动检测, 研制了一套基于图像处理的铟钢尺自动检测系统。待测刻线经光学显微系统成像, 由数字CCD摄像头采集并传输到计算机中, 利用数字图像处理技术对刻线的边缘进行提取, 结合双频激光测距仪的读数, 自动判读出刻线中线相对于起测分划的位置坐标, 计算出刻线分划误差。由测量重复性引起的不确定度为0.79 μm, 总的展伸不确定度为3.9 μm, 优于国家标准中规定的6 μm。整套系统集光、机、电、算于一体, 操作简便, 测量精度高。

以经典耦合模理论为基础,结合线性啁啾莫尔光纤光栅的结构特性,给出了线性啁啾莫尔光纤光栅的耦合系数和耦合模方程,并用龙格库塔迭代法数值求解耦合模方程.对多种线性啁啾莫尔光纤光栅的光谱特性和时延特性进行了理论模拟.分析结果表明,线性啁啾莫尔光纤光栅的相移特性和切趾特性,使得该类型光栅在波分复用全光网中有着很好的应用前景.

提出一种无自致啁啾效应的切趾布拉格光纤光栅的制作方法。利用有效介质法分析了利用光栅的周期变化来消除折射率切趾导致的自致啁啾,从而得到平均折射率和交流耦合系数都没有突变的切趾光栅。与均匀周期的高斯切趾光栅相比,这种光栅几乎没有旁瓣。最后给出了数值模拟结果。

从耦合模理论出发,结合莫阿光纤光栅的结构特性,运用分段均匀和传输矩阵法对莫阿光纤光栅的光谱特性进行了理论分析和数值计算;详细研究了线性啁啾莫阿光纤光栅的滤波特性,在此基础上,提出了一种新型的基于线性啁啾莫阿光纤光栅的光分插复用器的结构设计方案.

本文叙述甲基丙烯酸甲酯单体在CO2激光辐照下的聚合行为,并用红外光谱仪和高压液相色谱仪对聚合产物进行了分析,结果表明,不同的CO2激光辐照频率,甲基丙烯酸甲酯能按自由基型或阴离子型机理进行聚合。