针对核能谱解析中，单能峰会受到低能拖尾和高能拖尾的影响，给出了先根据单能峰半高宽读数值来确定数据拟合窗，再运用快速迭代算法进行高斯函数拟合的方法。文中先进行了含噪高斯信号拟合实验，然后在实测 X荧光能谱中对不同含量的单能峰进行快速高斯拟合应用。实验表明，本方法对高含量核素的单能峰拟合效果良好，对高背景低含量核素的单能峰需先进行平滑处理再做拟合。

对高功率激光系统采用宽带激光消除菲涅耳衍射问题进行了研究，指出只有数百nm的宽带啁啾光脉冲才对近场衍射有一定的平滑作用，数nm的宽带啁啾光脉冲对近场衍射几乎没有平滑作用；同时，还对宽带啁啾光的B积分表征方式和最快增长频率问题进行了研究，并与原型装置上开展的窄带脉冲、宽带啁啾堆积脉冲的非线性实验结果进行了对比研究，指出以最大B积分或加权B积分反映非线性自聚焦更为准确。研究还表明，在数nm,ns情况下最快增长频率与窄带激光脉冲的差别不大。in high power laser system

在高功率激光驱动的惯性约束聚变(ICF)系统中，为了提高束靶耦合效率，抑制激光与等离子体相互作用时产生的瑞利泰勒流体不稳定性与等离子体不稳定性，需要对光束进行匀滑处理。对各国研究的匀滑技术进行了调研，并对国外大型激光装置的匀滑技术进行了总结分析，分析了我国光束匀滑技术方面的进展情况。

针对高功率激光装置，基于自研鬼像追迹软件(GA)的鬼像分析结果，采用辅助设计方法在装置的三维结构模型中形象、直观地显示鬼像的分布情况，精确计算出鬼像光束传输过程中与装置的干涉情况；并对典型未知的鬼像危害进行分析，提出了可采取的规避措施。所开发的软件能够满足高功率激光装置不同要求的鬼像分析计算，其分析结果直接应用于装置的设计，对于缩短设计周期、提高光束质量、降低装置造价具有重要意义及明确的应用前景。

根据亚波长光栅的导模共振异常特性，提出三角形槽亚波长光栅实现惯性约束聚变驱动器谐波分离的技术方案.定义了用于描述谐波分离性能优劣的谐波分离品质函数，对影响三角形槽亚波长光栅的谐波分离品质函数的光栅参量进行了详细的分析，基于矢量衍射理论设计了能够实现谐波分离的三角形槽亚波长光栅，确定了用于谐波分离的三角形槽亚波长光栅的设计思路和方法.

针对物理实验要求的三台阶整形脉冲(脉冲宽度比为1.5 ns:1 ns:0.5 ns,幅度比为1:4:16),在神光Ⅲ原型(TIL)装置上开展了脉冲时间波形整形实验研究。首先,针对发射目标利用激光性能仿真模型预测注入激光系统的激光能量和脉冲波形。然后,在脉冲整形后进行不同功率的激光发射对脉冲波形进一步修正:利用实验测量的频率转换效率修正各光束1ω能量和1ω脉冲波形;通过拟合实验测量的能量数据修正注入激光能量;通过增益-通量曲线修正注入激光脉冲波形。最后,将各束注入脉冲波形再次折中作为脉冲波形调整的最终依据。实验结果表明,对靶面要求的3ω-3 ns-0.5 kJ(单束)的三台阶整形脉冲,8束脉冲波形与要求比较一致;三个台阶的束间瞬时均方根功率不平衡分别约为30%,10%和5%。

针对惯性约束聚变(ICF)驱动器对谐波分离的苛刻要求,利用基于矢量衍射理论开发的商用软件Gsolver,在布拉格(Bragg)入射角下,设计满足分光要求的光栅参数,并根据对影响谐波分离性能的亚波长光栅的各个参数进行了分析,研究了实现谐波分离的亚波长光栅的优化设计方法,并设计得到了满足谐波分离要求的亚波长光栅。研究结果为亚波长光栅用于谐波分离提供了理论支持。

为了提高电力电缆测温系统的测量精度和速度，提出了以光纤梳状滤波器代替参考光栅提供拟合数据参考点，采用最小二乘法拟合光纤Bragg光栅波长和F-P可调谐滤波器调谐电压的线性关系，通过F-P可调谐滤波器解调FBG传感器中心波长变化的方法，完成对电力电缆温度的测量.研究表明，光纤梳状滤波器能够代替多个恒温参考光栅实现波长标定，对反射波长的测量误差＜5 pm，温度均方误差≤0.7 ℃.

基于小信号增益公式、菲涅耳反射公式和判断内腔四程放大高功率激光系统寄生腔增益与损耗大小,研究了2个光路构型相似,寄生腔构成相近的高功率固体激光装置(装置A和装置B)的系统寄生振荡问题:首先指出了系统中存在可能起振的3个寄生腔,然后分析了3个寄生腔中影响损耗的各个因素,根据装置A上的实验结果,判断在仅通过钕玻璃片检偏的情况下,装置B的第3寄生腔存在产生寄生振荡的可能性,最后采取加入一组偏振片的方法抑制寄生振荡。

光学元件“缺陷”制约着高功率固体激光装置负载能力的提升。从统计角度建立了振幅调制型“缺陷”模型,并针对神光Ⅲ原型装置助推放大级分析了“缺陷”分布的统计参量与光束近场质量的关系,得到了一般规律。结果表明,“缺陷”总密度的增加和幂指数的减小都使系统输出光强的中高频成分增加,光束近场质量变差;总密度的变化引起光强各中高频成分变化的幅度近似相等,频率间相对比重基本保持不变,幂指数的变化却会引起各频率间相对比重发生变化;一定范围内,“缺陷”尺寸越大对近场质量的影响越严重;对于助推段,需将元件的“缺陷”总密度控制在600 cm-2以下,幂指数控制在2.5以上。研究结果可为降低元件的损伤风险以提高系统的运行负载提供参考。