1 湘潭大学土木工程学院，湖南 湘潭 41110
2 军事科学院国防工程研究院，河南 洛阳 471023
3 南京山河特种设备科技有限公司，南京 210000
在人工海水拌制的珊瑚砂水泥砂浆中复掺2.0%纳米SiO2和0.4%玄武岩纤维以提升其力学性能，采用带有主动围压装置的分离式Hopkinson压杆对其进行不同围压(0～20 MPa)下的冲击压缩实验，研究纳米SiO2增强珊瑚砂水泥砂浆在不同围压和不同应变率下的动态力学性能。结果表明：无围压(单轴冲击)试件的破坏形态呈现为粉碎状，具有明显的脆性特征；主动围压作用下试件受冲击后的完整性较好，属于压剪破坏，而且试件发生由脆性到塑性的转变，韧性得到提升。从得到的动态应力-应变曲线可以看出试件强度比静态下提高2.08～3.43倍，动态抗压强度是无围压(单轴冲击)的1.88～2.35倍。通过分析材料的动态增强因子和围压增长因子对应变率和围压变化影响，得到了相关经验公式。通过对能量耗散情况的分析，结果表明围压可以提升纳米SiO2增强珊瑚砂水泥砂浆的比能量吸收值。
珊瑚砂水泥砂浆 主动围压 冲击压缩实验 动态力学性能 能量耗散 coral sand cement mortar active confining pressures impact compression experiments dynamic mechanical properties energy dissipation
红外与激光工程
2020, 49(4): 0426001
北京理工大学 光电学院 光学测量研究中心, 北京100081
针对干涉测量中采集到的波面数据是大量离散采样点不易寻找单位圆用于波面拟合的问题, 提出了一种凸壳理论圆域拟合的方法。方法对采集的波面数据寻找最小覆盖圆, 经归一化后以圆Zernike为基底进行波面拟合。利用Matlab仿真分析算法的性能, 对实测数据经过处理后与ZYGO测试数据进行对比分析得到面型PV值的绝对误差为0.0047λ, RMS值的绝对误差为0.0002λ。实验表明算法可对采集的大量离散波面数据进行高效准确的Zernike波面拟合, 为进一步光学元件面型像差的分析提供可靠依据。
光学测量 Zernike拟合 凸壳理论 最小覆盖圆 optical measurement Zernike fitting convex shell theory smallest enclosing disk random incremental method
齐齐哈尔大学 计算机与控制工程学院, 黑龙江 齐齐哈尔 161006
用共参数的两种混沌系统生成可置换传统双随机相位编码系统中随机相位模板的新模板.将明文图像编码为相位信息, 克服原双随机相位编码系统对第一块相位模板不敏感的缺陷; 构建可产生均匀非相关随机序列的广义Fibonacci混沌系统, 生成均匀分布的相位模板进行图像加密, 提高密钥传输效率及系统对密钥的敏感性; 对一次加密得到的复值图像, 采用提取其振幅及相位的替代操作进行再加密, 解决其像素值不能通过按位“异或”进行替代的问题,使密文图像分布更均匀, 信息熵达到7.995 8, 能有效抵御统计分析攻击.在二次加密中, 将产生加密模板的混沌初值与一次加密得到的密文联系, 像素数改变率达到0.995 239, 更接近理想期望值, 增强了系统对明文的敏感性, 有效抵御选择明文攻击.仿真实验表明,该方法有效增加了密钥空间和密钥敏感性, 提高了加密系统加密效率和安全性.
信息光学 图像加密 虚拟光学加密 混合混沌 广义Fibonacci混沌 Information optics Image encryption Virtual optical encryption Hybrid chaotic Generalized Fibonacci chaos
上海交通大学 电子工程系 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室，上海 200240
本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用，总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点，介绍了不同绝缘层的制备工艺，以及各种制备工艺的原理与特点。最后，通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献，介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点，并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望。
薄膜晶体管 溶胶凝胶法 紫外光退火 低温工艺 thin film transistor sol-gel process UV annealing low temperature process
1 上海交通大学 电子工程系, 上海 200240
2 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室, 上海 200240
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线.结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多.无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用.这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要.
聚合物 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 polymer organic thin-film transistor field-effect mobility
上海交通大学 电子信息与电气工程学院, 上海 200240
基于聚合物绝缘材料和半导体材料, 采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT), 通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极, 以提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明, 有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接触电阻影响明显。有机半导体层图形化后, 器件的开关比有较大的提升。采用lift-off工艺, 先在聚合物绝缘层材料上对光刻胶图形化, 然后利用真空蒸镀法将金属电极蒸镀到绝缘层材料上, 最后将器件浸泡在70℃的NMP溶液中约30min, 接触电阻约为4.8×107Ω; 采用湿刻工艺对蒸镀在绝缘层材料上的金属电极进行处理, 接触电阻有明显的下降, 约为3.6×106Ω。
剥离 湿刻法 半导体层图形化 接触电阻 有机薄膜晶体管 lift-off wet etching organic semi-conductor patterned contact resistance OTFT
1 上海交通大学电子工程系, 上海 200240
2 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室, 上海 200240
一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数, 然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高, 其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。
有机薄膜晶体管 绝缘层界面修饰 电极界面修饰 organic thin film transistors chemically modified gate dielectric chemically modified bottom contacts
上海交通大学 电子信息与电气工程学院 TFT-LCD关键材料技术国家工程实验室, 上海 200240
基于聚合物绝缘材料和半导体材料, 采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT), 通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数, 获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明, 绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI )的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层, 其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1200r/min, 退火温度为140℃, 在旋涂有机半导体材料之前, 需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1, 亚阈值摆幅降至约1.2V/dec, 开关比大于104, 并且当外加电场为1MV/cm时, 漏电流密度低于1.4×10-6A/cm2(Vds=-40V)。
硅氧烷 聚合物栅极绝缘层 有机薄膜晶体管 siloxane polymeric gate insulators organic thin-film transistor
