作者单位
摘要
1 重庆邮电大学光电工程学院,重庆 400065
2 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所,江苏 苏州 215163
首先引入新型油酸配位剂,解决已有溶液法成膜较差的问题,接着引入紫外/红外双光源退火工艺,制备了氧化锆薄膜。与传统的热退火工艺相比,双光源退火能够在较低温度下实现锆盐的分解、还原、氧化,形成高质量氧化锆薄膜。采用紫外分光光度计、原子力显微镜和X射线光电子能谱仪等对制备的氧化锆薄膜进行了表征对比,进而分析了成膜的物理机理。结果表明:所用方法成功实现了低温条件下(<120 ℃)高质量氧化锆薄膜的制备,薄膜的光学带隙约为5.66 eV,相对介电常数约为22.6,漏电流密度小于10-9 A/cm2@4 MV/cm,表面粗糙度为0.28 nm。最后,基于该氧化锆薄膜绝缘层制备出了低驱动电压的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,其迁移率为0.50 cm2/(V·s),阈值电压为-0.47 V, 电流开关比3.6×107,亚阈值摆幅为0.16 V/dec。
材料 薄膜晶体管 溶液法 氧化锆 紫外/红外退火 
中国激光
2022, 49(7): 0703001
作者单位
摘要
上海交通大学 电子工程系 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海 200240
本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在制备过程中遇到的主要问题及当前的研究热点,并对未来薄膜晶体管中绝缘层的制备工艺和绝缘材料的研究方向进行了展望。
薄膜晶体管 溶胶凝胶法 紫外光退火 低温工艺 thin film transistor sol-gel process UV annealing low temperature process 
液晶与显示
2016, 31(4): 380
谢应涛 1,2,*欧阳世宏 1,2王东平 1,2朱大龙 1,2[ ... ]方汉铿 1,2
作者单位
摘要
1 上海交通大学 电子工程系, 上海 200240
2 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室, 上海 200240
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线.结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多.无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用.这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要.
聚合物 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 polymer organic thin-film transistor field-effect mobility 
液晶与显示
2015, 30(3): 427
作者单位
摘要
上海交通大学 电子信息与电气工程学院, 上海 200240
基于聚合物绝缘材料和半导体材料, 采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT), 通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极, 以提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明, 有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接触电阻影响明显。有机半导体层图形化后, 器件的开关比有较大的提升。采用lift-off工艺, 先在聚合物绝缘层材料上对光刻胶图形化, 然后利用真空蒸镀法将金属电极蒸镀到绝缘层材料上, 最后将器件浸泡在70℃的NMP溶液中约30min, 接触电阻约为4.8×107Ω; 采用湿刻工艺对蒸镀在绝缘层材料上的金属电极进行处理, 接触电阻有明显的下降, 约为3.6×106Ω。
剥离 湿刻法 半导体层图形化 接触电阻 有机薄膜晶体管 lift-off wet etching organic semi-conductor patterned contact resistance OTFT 
半导体光电
2015, 36(1): 88
谢应涛 1,2,*欧阳世宏 1,2王东平 1,2朱大龙 1,2[ ... ]方汉铿 1,2
作者单位
摘要
1 上海交通大学电子工程系, 上海 200240
2 TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室, 上海 200240
一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数, 然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高, 其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。
有机薄膜晶体管 绝缘层界面修饰 电极界面修饰 organic thin film transistors chemically modified gate dielectric chemically modified bottom contacts 
光电子技术
2014, 34(4): 230
作者单位
摘要
上海交通大学 电子信息与电气工程学院 TFT-LCD关键材料技术国家工程实验室, 上海 200240
基于聚合物绝缘材料和半导体材料, 采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT), 通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数, 获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明, 绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI )的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层, 其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1200r/min, 退火温度为140℃, 在旋涂有机半导体材料之前, 需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1, 亚阈值摆幅降至约1.2V/dec, 开关比大于104, 并且当外加电场为1MV/cm时, 漏电流密度低于1.4×10-6A/cm2(Vds=-40V)。
硅氧烷 聚合物栅极绝缘层 有机薄膜晶体管 siloxane polymeric gate insulators organic thin-film transistor 
半导体光电
2014, 35(6): 1043
作者单位
摘要
上海交通大学 电子信息与电气工程学院电子系 TFT-LCD关键材料及器件国家工程实验室, 上海200240
基于一种新型的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物半导体(PTDPPTFT4), 采用溶液法工艺制作了高性能环保型、空穴型有机薄膜晶体管。通过尝试不同的半导体层退火温度及退火时间, 优化了有机薄膜晶体管的性能。当采用对二甲苯溶剂, 退火温度为190℃, 退火时间为60min时, 迁移率为2.1cm2·V-1·s-1, 电流开关比大于106。通过X射线掠入射角衍射法测试, 得到高温退火后聚合物薄膜的结构特点, 进而揭示了退火条件改变后, 薄膜晶体管拥有高迁移率的原因。
溶液法制程 聚合物薄膜晶体管 迁移率 solution process polymer thin film transistor mobility 
半导体光电
2014, 35(5): 824
作者单位
摘要
上海交通大学 电子信息与电气工程学院 光电材料与器件中心, 上海200240
基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料, 采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管, 通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件, 提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明, 不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移率影响明显;半导体层旋涂速度过慢和退火温度过低都会降低有机薄膜晶体管的性能。当采用1, 2, 4三氯苯(TCB)作为半导体溶剂, 旋涂速度为3000r/min, 后烘温度为190℃时, 有机薄膜晶体管的迁移率可以达到约0.5cm2·V-1·s-1, 亚阈值摆幅降至约0.6V/dec, 开关比大于106。
溶液法制程 旋涂 聚合物 有机薄膜晶体管 迁移率 solution process spincoating polymer OTFT mobility 
半导体光电
2014, 35(4): 617
作者单位
摘要
1 江苏大学 通信工程系, 江苏 镇江 212013
2 东南大学 毫米波国家重点实验室, 南京 210096
基于磁化等离子体本构方程,提出了一种截断各向异性色散介质的修正的各向异性完全匹配层(M-UPML)吸收边界算法。通过等效相对介电常数,将UPML推广到截断各向异性等离子体介质的情形,并推导了其时域有限差分方法(FDTD)迭代式。用该方法计算了半空间磁化与非磁化等离子体的反射系数,计算结果与解析解相一致,表明该吸收边界具有良好的吸收效果。
时域有限差分方法 完全匹配层 磁等离子体 吸收边界 finite-difference time-domain method perfectly matched layer magnetized plasma absorbing boundary condition 
强激光与粒子束
2011, 23(1): 156
作者单位
摘要
1 江苏大学 通信工程系,江苏 镇江 212013
2 东南大学 毫米波国家重点实验室,南京 210096
提出了一个新的分析各向异性磁等离子体中电磁波传输特性的时域有限差分(FDTD)方法。该方法是将电流密度矢量与电场强度矢量之间的本构方程基于拉普拉斯变换原理转到复频域,然后再逆变换到时域得到它们之间显式的方程,最后再结合指数差分,得到离散时域的显式的FDTD迭代方程,解决了本构方程中电流密度矢量的分量相互耦合而不易直接离散的困难。该方法在数学上具有简单明了和易于计算的特点,同时通过该方法计算各向异性等离子体板的电磁波反射和透射系数,与其解析解进行比较,结果表明了该方法的准确性和有效性。
时域有限差分方法 电磁波传输 各向异性等离子体 拉普拉斯变换 finite-difference time-domain method electromagnetic wave transmission anisotropic plasma Laplace transform 
强激光与粒子束
2009, 21(11): 1710

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