为了研究华南地区尿毒症患者的HLA-DRB1等位基因频率分布及抗HLA-DRB1抗体类型, 收集尿毒症患者和健康对照者的外周血, 通过聚合酶链反应-序列特异性寡核苷酸探针(PCR-SSO)方法对HLA-DRB1等位基因进行基因分型。经Luminex系统检测因尿毒症进行肾移植的患者中抗HLA-DRB1抗体的类型和频率, 用HLAMatchmaker数据库比较和分析HLA-DRB1的表位及其氨基酸序列, 通过统计软件分析患者中HLA等位基因和抗HLA抗体的类型和频率。结果发现: 与健康对照者相比, 尿毒症患者HLA-DRB1*13等位基因的频率显著低于健康对照者(4.33% vs. 13.37%, P<0.001); HLA-DRB1*14等位基因的频率显著高于健康对照者(12.01% vs. 4.12%, P<0.001)。在所有类型的抗HLA-DRB1抗体中, 抗HLA-DRB1*01/*13/*14抗体的频率显著低于其他抗HLA-DRB1抗体的频率(P<0.05)。经HLAMatchmaker数据库分析发现, HLA-DRB1*01/*13/*14等位基因中的常见表位为77T。这表明: 在基因频率上, HLA-DRB1*13与尿毒症患病率呈负相关, 可能对个体具有保护作用; HLA-DRB1*14与尿毒症患病率呈正相关, 可能是尿毒症的易感因素。尿毒症患者中抗HLA-DRB1*01/*13/*14抗体的水平显著低于其他抗HLA-DRB1抗体, 这可能是由存在的共同表位77T所致。研究结果将为深入了解HLA-DRB1基因与尿毒症的关系奠定基础, 对阐明HLA-DRB1基因在尿毒症及肾移植中的作用提供试验依据。

PCBA (printed circuit board assembly)元器件边缘检测的完整度直接影响装配机器人对元器件尺寸及其间隙的视觉测量精度。针对Canny算子提取密集区域目标边缘存在明显的边缘粘连和断缺现象的问题,提出一种具有高完整度的PCBA元器件边缘检测新方法。首先针对原Canny算子依据像素点灰度值梯度确定的边缘像素点,提出3×3邻域窗自适应阈值非极大值抑制方法,以有效避免密集区相邻边缘粘连;其次依据EPGVF Snake模型参数化后Snake曲线的梯度场,结合边缘保真项,提出边缘是否发生断缺的邻域窗自适应判断方法; 最后采用像素置换模板对断缺的边缘像素进行填充,以有效保留细弱边缘、避免断缺发生。实验结果表明,本文方法能有效避免PCBA密集区元器件边缘粘连和细弱边缘断缺,边缘完整度较其他方法提高了约15.5%。

为了降低智能手机PCBA电路板元件反光特性对图像灰度产生的干扰, 提高边缘连接的完整度, 减少伪边缘的数量, 本文对传统的canny算子进行改进, 用于提取智能手机PCBA电路板的边缘信息。首先, 兼顾滤波器去噪与梯度保持特性, 使用改进的具有“动态”惩罚因子的引导滤波器替代高斯滤波器, 减少边缘点的丢失。然后, 使用近邻域局部自适应阈值法取代传统双阈值法, 用于解决元件稠密区域存在灰度变化频繁背景与目标差异较小而导致阈值分割不准确的问题。实验结果表明, 当滑动窗口保持在19大小时, 具有最好的阈值分割效果, 伪边缘数量降到最低。本文方法处理后的图像, 拥有更完整细化的边缘, 伪边缘数量大大减少, 局部元件稠密区域, 边缘细节得到保留, 符合像素级手机PCBA电路板的边缘检测精度要求。

涡流脉冲热像技术是一种新型的无损检测技术，已在金属材料和复合材料的检测领域得到了广泛应用。检出 /漏检则是评价被检测对象是否存在裂纹的重要标准，为解决目前检出 /漏检研究需要大量实验数据的问题，本文提出了一种基于 BP神经网络的检出 /漏检预测方法。首先，制作了 30组含有不同尺寸疲劳裂纹的金属试件，并完成了 15组不同检测条件下的裂纹检测实验。其次，分别绘制了 3组检出概率曲线，并完成了不同检测条件对检出概率的影响分析。最后，为实现检出 /漏检的可靠性预测，构建了基于 BP神经网络的检出 /漏检预测模型，并以 50组数据为样本进行测试，实现了不同检测条件下不同尺寸裂纹的检出 /漏检 0误差预测。

采用激光选区熔化技术成功制备了TiN增强钛基复合材料,并研究了TiN含量对钛基复合材料微观结构、显微硬度和摩擦磨损行为的影响。结果表明:随着TiN含量的增加,α-Ti相衍射峰发生偏移,TiN衍射峰强度逐渐增强,复合材料的显微硬度从纯钛的(228±13) HV逐渐增大到(403±20) HV;当添加TiN的质量分数为7.5%时,复合材料的磨损性能比纯钛提高了29.2%。TiN颗粒的加入使钛基复合材料的硬度与磨损性能显著提升。

采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱研究了激光选区熔化成形CP-Ti和Ti-5%TiN复合材料在人工模拟体液Hank溶液中的腐蚀性能,结果表明:激光选区熔化成形CP-Ti主要由针状α-Ti相组成,加入的TiN颗粒不仅可以与钛基体形成良好的界面结合,还可以细化α-Ti晶粒并产生更多的晶界;在Hank溶液中,激光选区熔化成形Ti-5%TiN复合材料具有比激光选区熔化成形CP-Ti更好的耐腐蚀性能,这是因为作为微阴极的TiN颗粒均匀地分布在钛基体内,可以加速钛基体的阳极溶解过程,使Ti-5%TiN复合材料能够优先进入钝化状态。

采用激光熔覆技术制备了Cu80Fe20偏晶涂层,研究了扫描速率对液相分离特征以及偏晶涂层显微硬度、耐磨性能的影响。研究结果表明: Cu80Fe20偏晶涂层内出现了分层现象,大量由体心立方结构α-Fe、面心立方结构γ-Fe组成的富铁颗粒弥散分布于上层的面心立方ε-Cu基体内,大量面心立方ε-Cu富铜颗粒分布于下层的α-Fe基体内;随着激光扫描速率增大,激光熔池的冷却速率增大,富铁颗粒粒径逐渐减小,面密度逐渐增大,相邻富铁颗粒间的间距减小,富铁颗粒对铜基体的阴影保护效应增强,使得偏晶涂层的显微硬度与耐磨性能增加,且均优于黄铜。

通过激光熔覆技术制备了自组装 Cu92Fe8偏晶复合涂层,研究了其相分离特征、显微硬度、耐腐蚀和磁学性能。结果表明,球磨后Cu92Fe8复合粉末的颗粒尺寸减小,且由少量的体心立方α-Fe相与固溶体Cu相组成。在激光熔覆过程中,过冷Cu92Fe8熔体发生液相分离,球状富铁的α-Fe颗粒均匀分布于富铜的ε-Cu相基体中;自组装 Cu92Fe8偏晶复合涂层的硬度均匀分布且略大于黄铜,耐腐蚀性能略逊于黄铜,但具有较好的软磁性能。

采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1 Hz~1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 kΩ条件下,可实现输出幅度大于20 kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率（1 kHz）触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。

采用功率IGBT串联组合模块作为放电开关,设计了16级Marx结构的脉冲电源,能够产生可调高压方波脉冲。由9支耐压3 kV的IGBT串联组成最大工作电压12.5 kV的串联组合模块; 通过磁隔离触发方式控制各级IGBT的同步导通和关断。输出电压从几kV至200 kV可调、输出脉宽随外部触发信号宽度在1.5~10 μs范围内可调、前沿小于500 ns、后沿小于2.3 μs; 在输出电压大于100 kV、输出电流20 A时顶降小于2%。