强激光与粒子束
2022, 34(7): 075008
强激光与粒子束
2021, 33(6): 065004
强激光与粒子束
2021, 33(6): 065005
红外与激光工程
2020, 49(11): 20200045
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 脉冲功率科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1 Hz~1 kHz、充电电压4 kV、负载阻抗为1 kΩ条件下,可实现输出幅度大于20 kV、前沿小于10 ns且脉宽大于100 ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1 kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。
功率MOSFET 纳秒级前沿 半导体固态开关 全固态 Marx发生器 power MOSFET nanosecond rise time semiconductor solid-state switch all-solid-state Marx generator 强激光与粒子束
2017, 29(4): 045002
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 中物院脉冲功率科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
采用功率IGBT串联组合模块作为放电开关,设计了16级Marx结构的脉冲电源,能够产生可调高压方波脉冲。由9支耐压3 kV的IGBT串联组成最大工作电压12.5 kV的串联组合模块; 通过磁隔离触发方式控制各级IGBT的同步导通和关断。输出电压从几kV至200 kV可调、输出脉宽随外部触发信号宽度在1.5~10 μs范围内可调、前沿小于500 ns、后沿小于2.3 μs; 在输出电压大于100 kV、输出电流20 A时顶降小于2%。
脉冲功率 固态开关 方波脉冲 Marx结构 pulse power solid-state switch square wave pulse Marx topology 强激光与粒子束
2017, 29(2): 025009
西南交通大学 物理科学与技术学院, 成都 610031
调制器输出脉冲宽度存在两种模式,输出脉冲宽度为10 μs时,工作频率0~8 kHz可调,输出脉冲宽度为200 μs时,工作频率0~400 Hz可调。为了实现了调制器的小型化,初级电压设计为700 V,初级储能电容可采用高储能密度的电解电容,且可降低绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联的风险,次级输出电压为70 kV,采用变比为100的脉冲变压器。概述其各个组成部分及其工作原理,重点对IGBT固态开关的驱动、保护电路、损耗和吸收回路进行了分析讨论,并对高变比的变压器进行了理论分析。对调制器进行了实验测试,脉冲前沿2.2 μs,脉冲后沿1.65 μs,过冲小于7%,脉冲顶降小于1%。
调制器 脉冲变压器 绝缘栅双极晶体管 固态开关 modulator pulse transformer insulated gate bipolar transistor solid-state switch 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045041
研制了10 kV高压反向开关晶体管(RSD)开关组件。在重复频率0.2 Hz、峰值电流约107 kA、峰值功率约1 GW、单次传输电荷约20 C、单次传输能量约100 kJ条件下,实验次数达50 000多次;主要研究了RSD开关的静态伏安特性随实验次数的变化趋势。采用数值分析的方法,统计拟合得到了长脉冲大电流条件下RSD开关的寿命模型,并依据失效判据初步预估RSD开关的寿命可达107次。
反向开关晶体管开关 固态开关 静态特性 寿命 大电流 reversely switched dynistor switch solid-state switch static characteristic lifetime high current
设计了一种基于全固态MOSFET半导体开关器件的Marx脉冲发生器。充电回路用快恢复二极管代替充电电阻,减小了充电部分功率损耗;将主电路和驱动电路集成在一起,采用自取电模式给驱动电路供电;由光纤传输驱动信号,抑制了放电回路对触发信号的干扰;采用顺/逆时针方向环形分布的紧凑型拓扑结构,不仅减小了回路电感,而且实现了脉冲发生器的小型化与模块化。所设计的Marx发生器充电部分仅需提供900 V低压,用180级单元串联,获得最高幅值为150 kV、脉宽1~5 μs可调的高压快脉冲,前沿控制在500 ns以内。利用该脉冲发生器在50 kΩ电阻和5 pF电容并联的等效负载上进行了一系列实验;比较分析了脉冲发生器工作过程中影响脉冲上升沿的几个主要因素,包括回路电感、MOSFET驱动电压及主回路分布电容等,并讨论了提升脉冲前沿的技术措施。
Marx发生器 全固态开关 金属氧化层半导体场效应管 顺/逆时针方向环形分布的紧凑型结构 分布电容 Marx generator all-solid-state switches MOSFET clockwise/counter-clockwise ring-shaped compact co distributed capacitance
介绍了反向触发双极晶闸管(RSD)开关的结构和触发工作原理,分析了RSD组件设计要求,利用两级触发原理研制了12 kV高压RSD组件及其触发系统,工作电压10~12 kV。试验结果表明:该高压RSD 串联组件触发稳定,工作可靠,12 kV工作电压下峰值电流可达133 kA,传输电荷24 C,电流变化率可达4.12 kA/μs,导通的峰值功率可达1.6 GW。
反向触发双极晶闸管开关 固态开关 磁开关 大电流 大库仑量 reversely switched dynistor solid-state switch magnetic switch high current high coulomb