结构的手性在自然界中普遍存在，通常表现为不能通过平移或旋转与其镜像结构重合的现象。因为光谱探测技术能够反映光和物质相互作用产生的丰富信息，所以利用光学方法检测手性特征成为了探测和鉴别手性物质的常用手段。手性超表面能够通过人工设计达到极大的圆二色性（CD），是物质检测和传感领域的研究热点。设计了一种可动态调控CD响应，同时实现高传感性能的太赫兹手性超表面。该超表面以柔性材料为基底，前后表面为四重旋转对称的J型金属结构。仿真结果表明：该手性超表面在0.760 THz处能够产生高达0.805的强CD值；通过二维方向等比例拉伸，CD峰从0.760 THz红移至0.650 THz附近，且能保持很高的CD信号；同时，其传感灵敏度高达327 GHz/RIU，且在相对拉伸形变量高达20%的拉伸过程中仍能较好地保持手性响应和传感性能。所设计的手性超表面在动态多功能器件、可穿戴传感器领域具有潜在的应用价值。

采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长，生长出28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体。用金刚石外圆切割机切割出CdGeAs2晶片，采用X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱仪(EDS)对合成的多晶粉末和切割出的晶片进行表征。结果表明，合成产物为单相四方黄铜矿结构的CdGeAs2多晶，晶片的原子百分比接近于理想化学计量比。经傅里叶变换红外分光光度计测试发现，初生长的CdGeAs2晶体在11.3 μm处的吸收系数为0.117 cm-1，经过拟合计算得出禁带宽度为0.52 eV。通过变温(110~300 K)霍尔效应测试表明，CdGeAs2晶体在110~300 K温度范围内都为p型导电，载流子浓度pH和霍尔系数RH随温度的升高分别升高和下降，而霍尔迁移率μH几乎不变。拟合计算出晶体中受主电离能EA=0.305 eV，并进一步分析了生长晶体中可能存在的受主缺陷。

针对核相关滤波(KCF)目标跟踪算法在目标发生尺度变化和受到遮挡时无法保证对目标长时间跟踪的问题，提出了一种尺度自适应抗遮挡的长时间目标跟踪算法。首先，将方向梯度直方图(HOG)特征和颜色(CN)特征进行融合并增加一个尺度滤波器用于估计目标的尺度;然后，引入平均峰值相关能量指标(APCE)进行遮挡判断，采用SVM分类器重新检测目标被遮挡后的位置; 最后，根据平均峰值相关能量和位置滤波器最大相关响应值选择模型更新策略。选取OTB100和UAV123两个数据集进行实验，结果表明，改进算法能有效地解决目标尺度变化和遮挡等问题，实现对目标的长时间稳定跟踪。

提出了由一个竖直的锑化铟（InSb）棒和两个水平的InSb棒组成的F型电磁感应透明结构。利用时域有限积分法计算了该结构的电磁特性，计算后得知，竖直InSb棒为电磁感应透明中的明模，两个水平InSb棒为暗模。本文通过改变两个水平InSb棒的距离以及竖直InSb棒与水平InSb棒的间距研究了电磁感应透明窗口的变化趋势，结果发现，电磁感应透明窗口的透射振幅出现了从开到关的状态调制。同时，由于InSb具有温度敏感特性，因此升高InSb的温度，可使电磁感应透明窗口的中心频率向高频移动，实现了对太赫兹波的主动调谐。该研究结果在光信号处理、光存储和慢光器件等方面具有潜在的应用前景。

采用波长为1064 nm的光纤激光器对Q345钢表面锈层进行激光清洗,研究了激光扫描速度对清洗质量的影响。结果表明:当扫描速度小于1000 mm·s -1时,激光对基体的损伤较大;当扫描速度达到5000 mm·s -1时,部分锈蚀仍残留于材料表面;当扫描速度为3000 mm·s -1时,清洗效果较好且基体不会受到损伤。随着扫描速度从1000 mm·s -1增加到6000 mm·s -1,清洗后Q345钢表面的铁含量呈现先增加后降低的趋势,而氧含量则是先降低再升高。当扫描速度为3000 mm·s -1时,Q345钢表面清洗后铁元素的质量分数达到了峰值,约为90%,氧元素的质量分数则达到谷值,约为7%;铁与氧的化合物较少,且钢的表面粗糙度亦较低,Ra≈6.9 μm。通过调节扫描速度可以获得较好的激光清洗效果;激光清洗后,Q345钢表面的电化学腐蚀性能有所提高。

Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的材料之一。针对Ge光电探测器制备过程中面临的挑战, 文中综述了近年来笔者所在的课题组在Ge探测器材料、器件及工艺方面的研究进展。首先介绍了Si基Ge材料的制备工艺, 利用低温缓冲层生长技术、Ge/Si键合技术、Ge浓缩技术等分别制备得到高晶体质量的Si基Ge材料。研究了Ge材料n型掺杂工艺, 利用离子注入结合两步退火处理(低温预退火和激光退火)以及利用固态磷旋涂工艺等分别实现Ge材料n型高掺浅结制备。最后探究了金属/Ge接触势垒高度的调制方法, 结合金属中间层和透明导电电极ITO制备得到性能良好的Ge肖特基光电探测器。

采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火, 制备出19nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料。然后对该GOI材料在400℃下进行O3氧化, 以进一步减薄GOI的厚度。采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征。测试结果显示, O3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高, 且表面更加平整(厚度减薄2.5nm, 粗糙度RMS降低0.26nm)。通过循环的O3氧化减薄, 可获得高质量的超薄(小于10nm)GOI材料, 用于制备超薄高迁移率沟道Ge MOSFET。

相比静爆测试，战斗部动爆测试能够为**系统评估提供更为准确的数据。在进行动爆测试时，波束宽度的选择将会直接影响测试时间点的选择。通过对战斗部动爆破片运动的分析、建模与仿真，分析了动爆破片的飞散和运动情况。同时，针对利用雷达进行动爆测试的技术手段，分析了雷达波束内的动爆破片数量、速度、距离分布等特性，并重点针对雷达波束宽度对战斗部动爆破片雷达特性的影响进行了分析。分析结果能为动爆测试技术的发展提供进一步的理论依据。

近场光学技术在高分辨率成像、 光谱探测和纳米加工等领域有广泛应用, 而光纤探针是其中一个关键部件。 如何提高光纤探针的传输效率是近场光学技术应用中的一个重要问题。 本文采用三维时域有限差分方法, 计算了锥形有孔探针的传输效率, 分析了锥角、 针尖孔径、 波长和金属层厚度等因素对光纤探针传输效率的影响, 并比较了裸光纤探针和有金属涂层的光纤探针在传输效率和空间分辨率上的差异。 此外, 还发现了传输效率随入射光波长变化出现的振荡现象。