基于波分式3D技术成像原理,实现了一种宽角度互补三带通滤光膜的设计。通过对薄膜材料的研究,选择合适的材料作为法布里-珀罗滤光片的等效间隔层,改善了大角度入射时的能量分散现象,提高了大角度入射时的通带透过率。通过调节电感耦合等离子体反应气体量,降低了Nb₂O₅材料的消光系数,提高了薄膜在短波处的透过率。实验测试与分析结果表明,所研制的互补三带通滤光膜在0°~30°入射时的通带透过率均在92%以上,且透射光符合色平衡指标,满足设计要求。

采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料, 研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效率 (EQE) 的影响。通过LED变温电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。结果表明, 100 K小电流时随着电流密度的增大, 三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值越来越大, 且5.5 A·cm-2的电流密度下, 随着温度从300 K逐步降低至100 K, 三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值也越来越大, 说明其载流子都在更靠近p型层的位置发生辐射复合。三组样品的p-GaN插入层厚度为0, 10, 30 nm时, EQE峰值依次为29.9%、29.2%和28.2%, 呈现依次减小的趋势, 归因于p-GaN插入层厚度越大, p型层越远离有源区, 空穴注入也越浅。电子阻挡层前p-GaN插入层可以有效减小器件EL光谱中绿光峰随着电流密度增加时峰值波长的蓝移 (33 nm), 实现了对低温发光光谱的调控。

制备了基于新型蓝绿色荧光MQAB与红色磷光Ir( MDQ)2acac的荧磷混合式白色有机电致发光器件,并探讨了TPBI或UGH3两种间隔层及二者的混合间隔层的器件的发光性能.研究发现,采用TPBI和UGH3的混合间隔层可以调控载流子注入与传输的平衡.当m(TPBI):m(UGH3)= 1:1时,可有效地控制发光区域,使得器件性能得到优化,并获得发光亮度高达14 700 cd/m2的白色有机电致发光器件,最高电流效率可达11.60 cd/A,且器件具有较高的色稳定性.采用混合间隔层的器件比单用TPBI或UGH3作为间隔层的器件效率提高了200%～300%.

制备了结构为ITO/MoO3（40 nm）/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶GIr1(14%)∶R-4B(2%)(20 nm) /间隔层(3 nm)/ CBP∶GIr1(14%)∶R-4B(2%)(10 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm) 的有机电致发光器件， 间隔层分别为CBP， TCTA， TPBI和BCP， GIr1和R-4B分别为绿红磷光材料。 通过加入不同间隔层来调控载流子和激子在发光层内的分布并研究了其对器件发光性能的影响。 研究表明TCTA， TPBI和BCP分别作为间隔层的器件较CBP为间隔层的参考器件， 电压为6　V时， 电流效率分别高出59%， 79%和93%， 以BCP为间隔层的器件效率最高达到22.58　cd·A-1； TPBI和BCP为间隔层相对于以TCTA为间隔层的器件， 在较高的电流密度下， 效率滚降更小。 分析原因TCTA间隔层较高的LUMO能级和三线态能量将电子和激子限制在较窄的复合区域， 提高了载流子相遇形成激子的概率， 在较高电流密度下猝灭也更严重； TPBI和BCP由于具有较高的HOMO能级和电子传输能力， 拓宽了激子的复合区域。 间隔层引起电子或空穴的累积， 形成较高的空间电场， 有利于发光层相应载流子的注入与传输。 由于发光层掺杂方式为红绿共掺， 器件均获得了较好的色坐标稳定性。

利用组合套镀法布里珀罗结构光学薄膜滤光片间隔层的方法，选取锗和一氧化硅分别作为高低折射率膜层材料，在短波红外区域2.0～2.4 μm光谱范围内，设计并制备了8通道集成窄带滤光片，单个光谱通道的有效通光区域的宽度为450 μm，其间有30 μm的挡光过渡带。各通道的峰值光谱透射率大于65%，滤光片的半峰全宽为8～13 nm，相对带宽在0.33%～0.65%之间。

红外高光谱的应用对于微型集成滤光片的需求越来越明显。通过改变间隔层的光学厚度，保持基本膜系不变，在1.9～2.4 μm 的红外光谱范围内设计了32通道的集成滤光片。间隔层的改变可以采取刻蚀或镀膜的方法来实现。考虑到制作工艺中存在的误差，利用光学薄膜设计软件对误差和可行性进行了分析。各个光谱通道的半峰全宽在5~8 nm，光谱交叠多在15%以下。在现有工艺条件下，采取刻蚀法或镀膜法均能实现红外集成滤光片的制作。