1 西北工业大学 电子信息学院, 陕西 西安 710129
2 焦作师范高等专科学校, 河南 焦作 454001
对于环境检测和高速光通信而言, 高性能紫外光电探测器是关键。利用气相沉积法在无催化剂条件下制备氧化锌纳米线网, 在纳米线网上直接制备光电器件的性能得到了提高。结果显示, 纳米线网光电探测器的光电流为60 ?滋A, 大约是单根纳米线光电器件光电流的15倍。详细讨论纳米线网光电探测器的响应机制发现, 在纳米线网内, 纳米线与纳米线之间的结势垒高度决定了纳米线内部载流子的传输。当紫外光照射纳米线网光电探测器时, 纳米线与纳米线之间结势磊高度的快速变低, 从而提高光电器件的性能。
紫外光电探测器 氧化锌纳米线网 化学气相沉积法 无催化剂 ultraviolet photodetector ZnO nanowires networks CVD catalyst-free 红外与激光工程
2018, 47(11): 1121002
1 发光学与应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院， 北京 100039
采用自催化法，利用金属有机化学气相沉积技术，在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌，在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米线上生长InGaAs外壳的过程，并应用X射线能量色散能谱仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描，得到了纳米线上元素组分分布。催化剂的转化发生在制备InGaAs壳之前的升温过程中，且形成的晶体中含有合金成分。InGaAs壳的组分调整可以通过改变生长过程中生长源气体的流量来实现。
自催化法 金属有机化学气相沉积 InP/InGaAs核壳结构 纳米线 catalyst-free MOCVD nanowires InP/InGaAs core-shell
中山大学 物理科学与工程技术学院 光电材料与技术国家重点实验室显示材料与技术广东省重点实验室, 广东 广州 5102775
报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂, 并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20 μm, 直径为30～125 nm, 是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明, AlN超长纳米线的开启电场为6.3 V/μm, 阈值电场为12.2 V/μm, 最大电流密度达1 440 μA/cm2。这暗示着 AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。
AlN超长纳米线 无催化剂 场发射 AlN ultra-long nanowires catalyst-free field emission
