1 之江实验室，浙江 杭州 311121
2 中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800
3 中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083
采用真空高温固相反应烧结技术制备了Ce∶Y3Al5O12（掺杂原子数分数为0.2%）与Al2O3复合相荧光陶瓷（简称Ce∶YAG-Al2O3），采用蓝光发光二极管（LED）芯片，以透射模式激发，系统研究了退火处理对荧光陶瓷发光性能的影响以及不同厚度与不同表面粗糙度的荧光陶瓷的发光性能的变化规律。结果表明，退火处理可明显改善荧光陶瓷的发光性能，且在相同激发条件下，随着荧光陶瓷厚度的增加，透射蓝光与荧光陶瓷所发出的黄绿荧光的强度比下降，色温降低，发光效率升高。陶瓷表面粗糙度的增加可明显提高荧光陶瓷的发光效率。对于同一荧光陶瓷样品，蓝光入射面的粗糙度小，光出射面的粗糙度大，有利于降低荧光陶瓷的色温，提高其发光效率。
使用Al2O3∶C作为灵敏物质的辐射探测器具有体积小、灵敏度高、可在线远程退火等优点。精确测量Al2O3∶C的光释光荧光光谱不仅有助于理解Al2O3∶C的能级分布和发光机理, 还可用于指导荧光收集和测量系统设计。采用直接测量法和分光测量法测量了Al2O3∶C的光释光荧光光谱, 两种方法得到的光谱基本一致, 具有峰值波长为～414nm, 半高宽为～62nm的单峰形状, 且长波长侧衰减较缓慢。峰值波长为414nm（对应能量为3.0eV）的宽带光释光荧光对应于Al2O3∶C材料中F色心由3P激发态退激到1S基态所发射的荧光。设计的分光光谱测量系统可完全消除高强度反射激发光的影响, 也可用于其他光释光材料的荧光光谱测量。
光谱学 光释光荧光光谱 直接测量法 分光测量法 spectroscopy Al2O3∶C Al2O3∶C optically stimulated luminescence spectrum direct measurement dichroic measurement
1 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
2 西安交通大学 能源与动力工程学院, 西安 710049
为了测量脉冲时间宽度小于20 ns时的γ射线时间分辨图像, 发展了新型无机闪烁体Yb: YAG, 并实验测量了晶体的发光衰减时间、X射线激发发光光谱、相对发光效率和空间分辨等性能, 研究了Yb: YAG晶体的发光性能。实验表明, Yb: YAG发光有三种衰减成分, 快成分衰减常数为1.2 ns, 慢成分衰减常数与射线种类有关; X射线激发发光光谱在250~800 nm范围, 有三个发光峰, 分别为320, 380和500 nm, 且320 nm处强度最大; 相对发光效率为1900 ph/MeV; 使用钨分辨卡测得Yb: YAG空间分辨能力为2 lp/m, 使用刀口法测得空间调制传递函数为0.5时的频率为0.7 lp/mm。结果说明Yb: YAG晶体性能能够满足所需测量要求。
时间宽度 Yb: YAG晶体 衰减时间 发光光谱 相对发光效率 空间分辨 pulse width Yb: YAG crystal decay time luminescence spectrum relative luminescence efficiency spatial resolution 强激光与粒子束
2017, 29(8): 086002
1 北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室, 北京 100044
2 南京理工大学软化学与功能材料教育部重点实验室, 江苏 南京 210094
利用Suzuki偶联反应合成了一种新型聚芴类导电聚合物发光材料：聚9,9二十二烷基芴并3,3′二对偏二氰乙烯基苯基2,7联噻吩(PFC12Th-DCN)，表征了该材料的紫外可见吸收光谱、光致发光光谱以及激发光谱。此材料在300~450 nm有很强的吸收，吸收峰位于375 nm。用375 nm的光激发PFC12Th-DCN，其光致发光峰位于625 nm，是一种橙黄色发光材料。制备了结构为ITO/PEDOTPSS/ PFC12Th-DCN/Al的有机电致发光器件。该器件启亮电压为5 V，发光峰为649 nm，色坐标为(0.62, 0.36)。与光致发光光谱相比，该材料的电致发光光谱出现了约25 nm的红移，根据退火实验推断该红移是由PFC12Th-DCN分子聚集态发光引起的。
材料 吸收光谱 发光光谱 聚合物发光二极管 聚芴
1 嘉兴学院机电工程学院,嘉兴学院先进材料研究所,浙江 嘉兴314001
2 云南师范大学,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南 昆明650092
3 浙江大学材料与化工学院,无机材料研究所,浙江 杭州300200
用多坩埚温度梯度系统生长了一批不同掺杂浓度的BaF2:PbWO4晶体，研究了这些晶体的透过光谱、x射线激发光谱(XEL)与晶体掺杂浓度的关系，结果发现合适浓度的掺杂增加了晶体的透过率、XEL光谱强度，并使XEL光谱峰红移.当掺杂浓度1000molppm浓度时，晶体的透过率明显增大、XEL光谱强度明显增强.当掺杂浓度达到2500~3000molppm左右时，透过率和x射线激发光谱强度有大幅度升高.BaF2浓度的继续增加到3500molppm浓度时，晶体透过率变化不大，但是XEL光谱强度降低，波峰加宽，继续增加掺杂浓度.掺杂浓度5000molppm时，波峰发生分裂，变成一个蓝光峰和绿光峰，蓝光峰很低，绿光波峰强，晶体光透过率降低.研究了这些现象发生的原因，发现晶体中V3+Pb缺陷和VO-缺陷、晶体［WO3F］-四面对闪烁发光的增强作用和间隙钡，间隙氧以及［WO2F2］四面体对闪烁发光的减弱作用与这些现象密切相关.
闪烁晶体 温度梯度法 透过光谱 畸变 x射线激发发光光谱 scintillation crystal temperature grads technique transmittance degeneration xray excited luminescence spectrum
1 嘉兴学院 先进材料研究所, 浙江 嘉兴 314001
2 云南师范大学 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 云南 昆明 650092
3 浙江大学 材料与化工学院无机材料研究所, 浙江 杭州 300200
利用多坩埚温度梯度法生长了PbWO4 和BaF 2 :PbWO 4 晶体, 研究了PbWO 4 、退火PbWO 4 和BaF 2 :PbWO 4 晶体 的透过光谱和X射线激发光谱, 结果发现这些光谱性质与晶体的组成和生长工艺密切相关, 其中退火的影响较复 杂.高温退火的PbWO 4 晶体的透过光谱在360nm以上波段有较好的透过率, 但是在320～360nm波段透过率反而略 有降低;380nm以上波段的X射线激发光谱光谱强度较高, 320～380nm波段光谱强度却略有降低.掺杂的离子改 善了晶体的透过率和X射线激发发光光谱强度.利用晶体的生长工艺和组成与缺陷以及晶体光学性质之间的关系 解释了这些现象产生的原因.BaF 2 :PbWO 4 掺杂晶体的X射线激发光谱的波形和发光峰强度均发生了很大程度的 改变, 与F 离子掺杂引发晶体［WO 4 ］ 2四面体基团畸变而产生的新的发光中心有关.
闪烁晶体 温度梯度法 透过光谱 畸变 X射线激发发光光谱 scintillation crystal temperature gradient technique transmission spectrum degeneration x-ray excited luminescence spectrum
阐述了目前国内外的磷化铟纳米晶研究状况。用有机溶剂回流退火法制备出了磷化铟纳米晶，并通过XRD谱计算出平均粒径为55 nm。喇曼光谱表明：由于纳米颗粒的量子尺寸效应，2个散射峰都向低能量方向发生了较大的移动。UV－VIS表明样品的吸收边相对于体块InP(970 nm)发生了显著的蓝移，说明带隙变宽，表现出明显的量子尺寸效应。PLE谱在380 nm时，PL谱峰在573 nm时，相对于体块InP的红外区的荧光光谱发光峰发生了显著的蓝移，说明磷化铟纳米晶在光电子器件领域和非线性光学领域有非常好的应用前景。
磷化铟纳米晶 喇曼光谱 荧光光谱 吸收光谱 发光光谱 非线性光学性质 indium phosphide nanocrystallite Raman spectrum fluorescence spectrum absorption spectrum luminescence spectrum nonlinear optical property
1 同济大学物理系,上海,200092
2 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
3 上海金属功能材料重点实验室,上海,200940
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350 nm吸收带,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb5+将占据W6+格位并使得晶体内部分(WO4)2-根团成为(NbO3+V-O)-,由此可改善钨酸铅的发光性能。
发光光谱 钨酸铅晶体 正电子湮没寿命谱 X光电子能谱
