应红 1,4温阿利 2,*周岁茹 3海雪 2[ ... ]黄鹤飞 2
作者单位
摘要
1 苏州热工研究院有限公司苏州 215004
2 中国科学院上海应用物理研究所上海 201800
3 西南石油大学 新能源与材料学院成都 610500
4 国家核电厂安全及可靠性工程技术研究中心苏州 215004
镍、铁和钨基合金常被用来作为反应堆的候选结构材料,在反应堆中面临中子辐照的严苛服役环境。本文采用分子动力学方法研究了金属镍、铁、钨三种金属材料的辐照级联过程,获得材料在不同温度(300?500 K)下、不同初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA)能量(<20 keV)沿不同晶格方向(<135>、<122>和<100>)入射的辐照级联损伤过程。结果表明:金属镍和铁的稳态辐照缺陷数相当,当PKA能量较低(<5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数比金属铁略少;而当PKA能量较高(>5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数逐渐超过铁;在相同辐照条件下,金属钨的稳态辐照缺陷数最少,表现出更为良好的抗辐照性能。通过分析三种金属辐照级联过程中不同阶段的缺陷复合率及缺陷存活率,进一步理解其耐辐照损伤能力的差异。相关计算结果为理解不同金属的辐照性能提供数据支撑,作为金属初级辐照损伤数据集,为更大尺度的速率理论和团簇动力学等模拟材料辐照效应提供微观缺陷结构和参数。
   中子辐照 初级辐照损伤 分子动力学 Nickel Iron Tungsten Neutron irradiation Primary radiation damage Molecular dynamics 
核技术
2023, 46(12): 120301
作者单位
摘要
1 兰州大学 信息科学与工程学院兰州 730000
2 兰州大学 核科学与技术学院兰州 730000
3 中国原子能科学研究院 反应堆工程技术研究所北京 102413
碳化硅(SiC)晶体可以用作无源监控器测量反应堆的中子辐照温度,在未来高温强辐射的先进核反应堆中具有重要的应用前景。SiC测温技术自20世纪60年代被首次提出以来,基于SiC结构、热学和电学性质的中子辐照效应,人们建立了宏观尺寸法、质量密度法、热导率法和电阻率法等各种SiC测温方法。本文首先综述了这些SiC测温方法的基本原理和工作特点,然后着重介绍了中国原子能科学研究院(China Institute of Atomic Energy,CIAE)SiC测温系统的研究进展,通过中子辐照诱导SiC晶格肿胀的理论计算,分析和验证了该系统测温结果的可靠性,探讨了进一步提高SiC测温效率的实验方法。
SiC监控器 中子辐照温度 反应堆参数测量 晶格肿胀 电阻率 SiC monitor Neutron irradiation temperature Reactor parameter measurement Lattice swelling Electrical resistivity 
核技术
2023, 46(9): 090001
作者单位
摘要
1 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400044
2 成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都 610059
3 电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都 610054
对注入量为 1×1014 cm -2的快中子(1.2 MeV)对氮化镓(GaN)基白光发光二极管(LED)器件的辐照效应进行研究。通过测量和分析器件的电致发光谱(EL)、光功率-电流(L-I)和电流-电压 (I-U)特性,发现器件辐照后光功率降低,而 EL谱形状几乎没有变化,表明该注入量的中子辐照主要对器件中的蓝光 LED芯片造成了损伤。进一步分析发现,中子辐照导致蓝光 LED量子阱中产生大量非辐射复合中心,增加了漏电流并减小了量子阱中载流子密度,从而降低 LED的输出光功率。由此,在原有 GaN基蓝光 LED等效电路模型的基础上,加入由中子辐照导致的影响因素,不仅有助于理解中子辐照对 LED光功率的衰退影响机理,还为预测辐照后光功率的变化提供了可行性。
中子辐照 氮化镓 发光二极管 缺陷 neutron irradiation GaN Light-Emitting Diodes defects 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(6): 543
吕航航 1,2,*曹艳荣 1,2马毛旦 1,2张龙涛 1,2[ ... ]马晓华 3
作者单位
摘要
1 西安电子科技大学 a.机电工程学院
2 b.宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安 710071
3 西安电子科技大学 b.宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安 710071
在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓 HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓 HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓 HEMT器件辐射的研究进行了综述。
氮化镓 HEMT器件 γ射线辐射 质子辐射 中子辐射 电子辐射 GaN HEMT devices Gamma irradiation proton irradiation neutron irradiation electron irradiation 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(6): 535
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
铍是核反应堆内的重要反射层材料,其辐照后的尺寸变化对反应堆的安全性具有重要的影响。为获得铍组件堆内长期服役后的尺寸变化,以对其堆内的服役性能评价提供基础数据,设计并加工了一套高放样品远程转运平台,使用三坐标测量机完成了绵阳SPRR-300堆内铍组件的尺寸变化测量实验。实验测量结果表明,SPRR-300堆的铍组件在服役29 a后,在最高中子通量高达6.78×1021 cm−2的辐照环境下,铍组件外形尺寸总体上保持良好,截面有微量的收缩变形,最大形变约0.13 mm,这表明在长期中子辐照环境下,辐照蠕变是导致铍组件尺寸变化的主要原因。
SPRR-300堆 铍组件 中子辐照 长期服役 辐照蠕变 SPRR-300 reactor beryllium assemblies neutron irradiation long term service irradiation creep 
强激光与粒子束
2022, 34(5): 056009
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
随SPRR-300研究堆约30 a的长时间运行,位于活性区附近的石墨箱体经历了长期的中子辐照。在长期服役的石墨箱体上取样,研究了其热学、力学以及微观结构变化,并与商用IG110,NG-CT-10石墨进行了对比。研究结果表明,经长时间低剂量率的中子辐照后,SPRR-300堆内随堆辐照石墨的晶格中出现了明显的辐照损伤缺陷,这些缺陷主要为位错环、层错、孔洞和微裂纹等,并出现了一定程度的非晶化。这些辐照损伤缺陷直接或间接地引起了石墨热学、力学性能的变化,主要表现为热膨胀系数、热扩散系数、抗压强度和抗弯强度的下降以及弯曲弹性模量的上升。
SPRR-300研究堆 石墨 中子辐照 辐照损伤 微观结构 SPRR-300 research reactor graphite neutron irradiation irradiation damage microstructure 
强激光与粒子束
2022, 34(5): 056002
作者单位
摘要
1 运城学院物理与电子工程系,运城 044000
2 天津大学理学院,天津 300072
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程。结果表明:中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加;光学带隙能随辐照剂量的增加而降低,这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关。光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域的光散射。对两个剂量辐照的样品进行室温到1 600 ℃的等时退火,发现两个剂量辐照产生的晶格损伤所需的退火回复温度不同,但退火回复过程都呈现出以800 ℃为转折点的两个相同阶段。
中子辐照 缺陷 晶格损伤 退火回复 吸收光谱 6H-SiC 6H-SiC neutron-irradiation defect lattice damage annealing recovery absorption spectra 
人工晶体学报
2020, 49(10): 1794
作者单位
摘要
1 中国科学 院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐830011
2 中国科学院大学, 北京100049
3 重庆光电技术研究所, 重庆400060
为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理, 对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下, 暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明: 暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心, 增大了热载流子的产生率所致, 而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大; 电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中, 饱和输出电压的退化可以忽略不计, 表现出较好的抗位移损伤能力。
电荷耦合器件 中子辐照 位移效应 电荷转移效率 暗信号 charge coupled devices neutron irradiation displacement damage effect charge transfer efficiency dark signal 
发光学报
2016, 37(1): 44
作者单位
摘要
1 Physics Department,Nelson Mandela Metropolitan University, Port Elizabeth 77000,South Africa
2 High Resolution Electron Microscopy Facility,Nelson Mandea Metropolitan University,Port Elizabeth 77000,South Africa
3 Fuel Performance and Design Department,Idaho National Labor
3C-SiC neutron-irradiation infrared reflectance spectroscopy morphology 
应用光学
2015, 36(6): 937
汪波 1,2,3,4,*李豫东 1,2,3郭旗 1,2,3文林 1,2,3,4[ ... ]玛丽娅 1,2,3,4
作者单位
摘要
1 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011
2 新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐 830011
3 中国科学院 新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011
4 中国科学院大学, 北京 100049
为研究空间高能粒子位移损伤效应引起的星用CMOS图像传感器性能退化,对国产CMOS有源像素传感器进行了中子辐照试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出电压、像素单元输出电压等参数的变化规律。通过对CMOS图像传感器敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行分析,并根据半导体器件辐射效应理论,深入研究了器件参数退化机理。试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀性随着中子辐照注量的增大而显著增大,饱和输出电压基本保持不变。暗信号的退化是因为位移效应在体硅内引入大量体缺陷增加了耗尽区内热载流子产生率,暗信号非均匀性的退化主要来自于器件受中子辐照后在像素与像素之间产生了大量非均匀性的体缺陷能级。另外,还在样品芯片上引出了独立的像素单元测试管脚,测试了不同积分时间下像素单元输出信号。
CMOS有源像素传感器 中子辐照 像素单元 饱和输出电压 位移效应 CMOS active pixel sensor neutron irradiation pixel unit saturation output signal displacement damage effect 
强激光与粒子束
2015, 27(9): 094001

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