1 散裂中子源科学中心,广东 东莞 523803
2 中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
3 中国科学院大学,北京 100049
中国散裂中子源的强流质子加速器采用剥离注入的方式,碳膜将H−剥离两个电子后变成质子,多圈涂抹注入到快循环同步环加速中,并加速至1.6 GeV。为了精确测量剥离膜的剥离效率并研究不同厚度剥离膜的使用寿命,在I-Dump束线上新研发并安装了一套束流流强探测器(H0CT),用于测量未完全剥离的H−和H0(H−被剥离一个电子)粒子。为了测量μA级束流,H0CT弱流强测量系统的研制考虑了外部干扰,配合探头、线缆及电子学低噪声的抗干扰设计,将环境噪声及干扰的影响降至最低,提高信噪比,实现了μA级脉冲电流的测量。
CSNS H0CT 脉冲流强测量 μA级 CSNS H0CT pulsed current measurement microampere 强激光与粒子束
2023, 35(2): 024004
强激光与粒子束
2022, 34(9): 095013
强激光与粒子束
2022, 34(6): 063003
1 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究院), 西安 710024
2 盲信号处理国家重点实验室, 成都 610041
3 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
为评估高空核电磁脉冲(HEMP)对某型短波接收天线系统的威胁,对包含浪涌保护器在内的天线前端设备进行HEMP传导注入试验。采用纳秒级快前沿方波源和双指数波电流源,分别测试不同浪涌保护措施的快脉冲响应。结果表明,主要由于天线末端的气体放电管在高过压比下很快动作(1 ns量级)、信号浪涌保护器内瞬态电压抑制器(TVS)限幅、信号传输设备内放大器饱和限幅等多重作用,注入幅度约3.5 kV的快前沿方波、电流峰值1.8 kA的双指数波(20/500 ns)脉冲都能及时泄放,只在传输设备输出端产生一个幅度饱和(<3 V)、持续μs量级的干扰信号。对这一类低工作电压天线系统,利用基于市售浪涌保护器的多重防雷措施能够同时实现对核电磁脉冲传导环境的防护。
高空核电磁脉冲 脉冲电流注入 短波天线 浪涌保护器 气体放电管 瞬态电压抑制器 high-altitude electromagnetic pulse pulsed current injection shortwave antenna surge protection device gas discharge tube transient voltage suppressor 强激光与粒子束
2019, 31(9): 093205
1 中国科学院 等离子体物理研究所, 电源及控制工程研究室, 合肥 230031
2 中国科学技术大学 科学岛分院, 合肥 230026
为了适应核聚变实验的要求, 在下一代托卡马克的设计中需要变流器输出瞬时高强度脉冲电流为大型电气设备提供动热稳定等型式试验。提出一种将电源系统阻抗等效到整流变压器二次侧并结合变流器两端电压变化关系的方法, 建立了大功率变流器的等效电路模型。在不同电气参数下计算得出了相应的多台变流器并联的总输出电流。以1000 kA为目标, 给出了符合条件的电气参数计算过程和结果。该结果作为给定参数下的极限条件, 使得在大功率变流器脉冲电流设计时有了最低设计阈值, 为后续的变流器器件选型和结构设计奠定了基础。
核聚变 变流器 脉冲电流 阻抗 托卡马克 nuclear fusion converter pulsed current impedance tokamak 强激光与粒子束
2019, 31(3): 036003
西南石油大学材料科学与工程学院, 四川 成都 610500
采用连续半导体激光器在Q235钢表面制备了Ni-Cr-Mo合金涂层,在不同脉冲电流处理时间下对涂层进行了辅助热处理,提高了涂层的质量及性能,并研究了涂层的显微组织、相组成、力学及耐腐蚀性能。结果表明,脉冲电流处理促进了激光熔覆层表面晶界处共晶组织的析出;随着处理时间的增大,共晶组织的析出量增大,距涂层表面约0.1 mm范围内的硬度也增大,而涂层的耐腐蚀性先增大后减小。
薄膜 激光熔覆 脉冲电流 Ni-Cr-Mo合金涂层 硬度 耐腐蚀性能 激光与光电子学进展
2018, 55(4): 043102
燕山大学 电气工程学院 电力电子节能与传动控制河北省重点实验室, 河北 秦皇岛 066004
介绍了一种大功率、宽输出电压范围的半导体激光器脉冲驱动电源的设计方法。根据半导体激光器脉冲驱动电源高电压、大电流的工作特性需求,脉冲放电环节采用多模块级联与功率开关管线性控制脉冲放电相结合的拓扑结构,这样既实现了脉冲电流平滑稳定,又提高了输出电压等级与功率。充电环节采取LCC谐振变换器结构,其抗负载短路和开路的能力非常适用于脉冲放电场合。该脉冲电源输出参数为:电压0~1000 V,电流1~160 A,脉宽200~250 μs,频率100 Hz内可调,具备较宽泛灵活的输出范围,可适应不同规模的激光二极管阵列。最后,分别通过单模块、两模块与三模块小功率级联型驱动实验验证了采用多模块级联与功率开关管线性控制脉冲放电相结合方法的可行性。
半导体激光器 脉冲电流源 级联叠加 线性区调节 闭环控制 semiconductor laser pulsed current source cascade superposition linear regulator closed-loop control 强激光与粒子束
2018, 30(9): 091002