比较了基于光激发-光抑制(SPIN)和受激辐射损耗(STED)的两种双光束超分辨数据写入技术的机理,为基于STED的超分辨数据写入技术建立了动态物理模型,研究其光致聚合过程中的工作机制,并模拟了基于SPIN和STED的双光束超分辨数据写入技术在记录点尺寸和分辨率方面的差异。结果表明:基于STED的双光束超分辨数据写入技术具有无需抑制剂、原理简单的优势,但其需要第二束辅助光的强度较大且对聚合作用的抑制效率低,在多点写入情况下点的尺寸变大,记录均匀性变差。基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术所需能量小,多点记录时引发剂分子消耗将抵消抑制剂分子消耗带来的影响,整体均匀性和稳定性好。因此基于SPIN的双光束超分辨数据写入技术在超高密度存储领域应用前景更好。

光学数据存储技术虽然在存储寿命和功耗上具有显著优势，但在应对大数据纵深发展趋势时，目前的一些光存储技术在容量和密度方面面临严峻的挑战。相比于其他光存储技术，双光束超分辨光学数据存储技术在光学大数据存储产业化方面展现了明显的容量和密度优势。本文针对双光束超分辨光存储技术，全面介绍了该技术在光存储技术产业化应用中亟待解决的核心关键问题，并着重讨论了解决这些问题所需要采用的基本方法。

随着互联网、物联网、云计算以及人工智能的快速发展，人类社会已经进入大数据时代。面对如此多的数据，如何安全可靠、绿色节能、长寿命、低成本地进行存储已经成为一个重要问题，传统的光存储技术已经无法满足现实要求，需要对其加以改造升级，甚至研发新一代存储技术。到目前为止，已有多种基于光存储原理的样机研制成功并获得工程应用，光存储技术不断完善，正逐步实用化和商用化。本文首先简单介绍了光存储技术领域发展历程，然后详细列举了其中8种具有产业化前景的光存储技术，对它们的原理及发展现状进行了总结，并对其技术特点和作为大数据存储介质的前景进行了讨论；最后对光存储技术未来发展趋势进行了展望，以期为大数据时代光存储技术的发展提供技术参考。