上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
利用电子束蒸发在硅基底材料上沉积氟化镱(YbF3)薄膜,并对不同沉积温度所得薄膜进行了研究。研究结果表明,在反可见透红外波段上,沉积温度对于YbF3薄膜的物理和光学特性有较大影响。当沉积温度为150 ℃和180 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜的光学性能和可靠性较差;当沉积温度为220 ℃和240 ℃时,硅基底上的YbF3薄膜具有良好的光学性能和可靠性,能适用于不同要求的薄膜产品研制。
氟化镱薄膜 电子束蒸发 反可见透红外波段 硅基底 沉积温度 YbF3 films electron beam evaporation in the opposite visible through infrared silicon substrate deposition temperature
1 中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083
2 中国科学院大学，北京 100049
从沉积方式、薄膜厚度、沉积温度和离子束能量四个方面，研究了沉积工艺对氟化镱(YbF3)薄膜可靠性的影响。研究结果表明，相较于电阻加热蒸发方式，用电子束加热蒸发得到的YbF3薄膜，其致密性更好，水汽吸收更少；薄膜太厚或沉积温度太高会加大YbF3薄膜的应力，使薄膜表面出现裂痕，甚至使薄膜脱落；离子束辅助沉积可以增加YbF3薄膜的附着力，改善薄膜的表面质量；随着离子束能量的增加，薄膜的应力先增大后减小。根据以上研究结果得出YbF3薄膜的最佳沉积工艺，并研制出具有良好光谱性能和高可靠性的宽光谱增透膜。
薄膜 氟化镱 可靠性 离子束辅助沉积 应力 附着力
