采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺，在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-2212]薄膜；研究了在倾斜LaAlO3(100)单晶衬底上生长的(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生热电电压信号与沉积条件及入射激光能量的关系。为避免(Bi,Pb)-2212薄膜被激光剥蚀或蒸发，还初步研究了MgO保护层对(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生电压信号的作用，结果表明MgO层能够显著增强激光感生热电电压效应。

采用固相反应法制备了四方相结构的SnO2靶材，选用蓝宝石衬底，利用脉冲激光沉积法在不同温度下生长了一系列SnO2薄膜。X射线衍射测试结果表明，SnO2薄膜具有四方金红石结构，并且沿a轴近外延生长。另外，在倾斜衬底上生长的SnO2薄膜上观察到了激光感生电压(LIV)效应，并研究了衬底温度对SnO2薄膜中LIV效应的影响。结果表明，随着生长温度从500 ℃增加到800 ℃，SnO2薄膜中的LIV信号的峰值电压先增加后减小，响应时间随衬底温度的升高先降低后增加，此外，存在一个最佳的衬底温度，使得SnO2薄膜的LIV信号的峰值电压达到最大，响应时间达到最小。在生长温度为750 ℃的SnO2薄膜中探测到响应最快的LIV信号，在紫外脉冲激光辐照下，峰值电压约为4 V，响应时间为98 ns，信号的上升沿为28 ns，与激光的脉宽相当。

为了研究不同退火氧压对铝掺杂氧化锌薄膜结晶质量和激光感生电压效应的影响，采用脉冲激光沉积法在蓝宝石(0001)单晶平衬底上制备了薄膜，并利用X射线衍射对薄膜的结构进行了表征，测量了薄膜在紫外脉冲激光辐照下诱导产生的激光感生电压信号，对结果进行了理论分析和实验验证，成功制备出了单一取向的薄膜，确定了最佳生长条件，并利用这一条件在倾斜蓝宝石衬底上制备了薄膜。结果表明，当薄膜受到波长为248nm、脉冲宽度为20ns的脉冲激光照射时，在薄膜两端存在较大的激光感生电压信号，其最大值为0.532V，且随着退火氧压的增大，激光感生电压的峰值信号先增大后减小。这一结果对薄膜在紫外探测器方面的应用是有帮助的。

采用脉冲激光沉积法（PLD）在Al2O3衬底上成功制备了Zn0.99Fe0.01O薄膜，研究了退火氧压对Zn0.99Fe0.01O薄膜的晶体结构及其激光感生电压（LIV）效应的影响。X射线衍射仪分析结果表明，Zn0.99Fe0.01O具有六角纤锌矿结构，并且是沿［001］取向近外延生长。同时随着退火氧压的增大，薄膜的晶粒尺寸先增大后减小，退火氧压为2000 Pa时薄膜晶粒尺寸最大，结晶质量最好。另外在10°倾斜的Al2O3单晶衬底上制备的Zn0.99Fe0.01O薄膜在3000 Pa的退火氧压下可以观察到最大的LIV信号，达到79.5 mV。

采用固相法烧结制备了Ag掺杂的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO∶Agx，x为摩尔分数，x=0.00，0.05，0.10)多晶靶材，并利用此靶材采用脉冲激光沉积法(PLD)在0°和15°LaAlO3(100)单晶衬底(单面抛光)上于790 ℃和45 Pa流动氧压下制备了LCMO∶Agx外延薄膜，并于760 ℃和104 Pa静态氧压下进行了30 min原位退火处理； X射线衍射(XRD)和ω-θ摇摆曲线分析表明所制备薄膜均沿［00l］方向生长，并且结晶质量较好，原子力显微镜(AFM)分析表明平均面光洁度较小，并且随Ag掺杂量的增加而变小；另外在倾斜衬底上生长的LCMO∶Agx薄膜上观察到激光感生电压(LIV)效应，并且随Ag掺杂浓度的增加，LCMO∶Agx薄膜的LIV信号的Up值先增大后减小，x=0.05时最大，x=0.10时最小，LIV信号响应时间τ则正好相反。

采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在SrTiO3(STO)单晶衬底上成功地制备了不同组分x(x=0.03，0.30，0.53，0.80，0.97)和掺杂M(原子数分数为3％，M=Na，Sr，Bi，Ce)的锆钛酸铅PbZrxTi1-x，PZT铁电薄膜。检测结果表明，所有薄膜都是单一取向生长的，且没有杂相存在，但组分的改变和掺杂元素的引入会对薄膜的结晶质量产生不同程度的影响。另外，在10°倾斜的SrTiO3单晶衬底上生长的PZT铁电薄膜中还清楚地观察到了激光感生热电电压(LITV)信号，且在能量密度为0.16 J/cm2的紫外脉冲激光辐照下，x=0.03组分的PZT铁电薄膜中的LITV信号最大，峰值电压为60 mV，而在Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜中，掺杂元素Na时LITV信号最大，峰值电压为61 mV，这与不掺杂时相比，其峰值电压增大了近50％。

采用脉冲激光沉积法在倾斜 SrTO3 (100) 衬底上制备出高质量的 Sr2 FeMoO6 薄膜,观察到薄膜在可见、 红外波段的脉冲激光照射下具有很大的激光感生 热电势效应(LITV)。研究表明,用1064 nm和532 nm波长的脉冲激光从薄膜表面垂直照射时,薄膜表面产生的最大峰 值电压分别为0.9 V和0.8 V, 并且 LITV 信号与激光能量成良好的线性关系,可用以制造高灵敏度的激光功率计/能量计。 当激光从 SrTO3 衬底方向照射时, LITV 极性发生变化。上述现象用各项异性 Seebeck 效应给予了解释。

为了研究激光感生热电电压(laser-induced thermoelectric voltage,LITV)信号的衰减时间与薄膜物性参量的定量关系,采用脉冲激光沉积法制备了YBa2Cu3O7-x,La0.67Ca0.33MnO3,La0.67Pb0.33MnO3薄膜,测量了248nm的脉冲激光辐照在薄膜中诱导产生的LITV信号,并且基于激光与薄膜相互作用的光热过程推导出的LITV信号衰减时间常数的表达式。结果表明,LITV信号呈指数衰减,变化规律与LITV效应的理论模型相吻合;LITV信号的衰减时间仅决定于薄膜的热传导性能,是薄膜热扩散系数的函数;根据LITV信号的衰减时间可以计算薄膜的热扩散系数,从而提出通过测量LITV信号的衰减时间来研究薄膜热扩散系数的新方法。

采用脉冲激光沉积(PLD)法在倾斜Al2O3(0001)衬底上制备了Bi2Sr2Co2Oδ(BSCO)系列热电薄膜, 发现该类薄膜中有激光感生热电电压(LITV)效应。X射线衍射(XRD)谱显示Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜沿c轴外延生长。采用标准四探针法测试了Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜的电阻随温度的关系。结果表明所制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜在80～360 K范围内呈半导体导电特性。研究发现, 在倾斜角度分别为10°和15°的倾斜衬底上制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜都存在一个最佳厚度, 在这一厚度下可使激光感生热电电压(LITV)信号的峰值电压达到最大, 分别为 0.4442 V和0.7768 V。可以认为该激光感生热电电压信号是由Bi2Sr2Co2Oδ薄膜面内和面间塞贝克系数张量的各向异性引起的。