研究了在TFT制备过程中, 直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性, 分别为0.937 V和0.34 V/dec; 而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是: 1.78 V和0.50 V/dec。对于稳定性, 在30 V的栅极应力下, 直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况, 阐述了上述现象产生的原因。

在原有圆孔型液晶透镜和模式液晶透镜(MLCL)理论的基础上, 将MLCL的等效电路模型和液晶的连续弹性体理论相结合, 提出了一种简洁的MLCL的理论仿真方法。利用已有的实验工艺制备出了通光孔径为4 mm, 盒厚为50 μm, 方阻为2 MΩ/sq的MLCL。此透镜的成像特性和焦距都可以通过调节施加在透镜上的电压的幅值和频率来调控。搭建实验平台, 来实际测量、观测不同电压值和频率下透镜的焦距和成像效果, 并对之进行详细的分析。

研究了一种新型的PSVA(聚合物稳定垂直配向)像素结构, 与传统的的像素结构相比, 该新型结构具有更高的穿透率。钝化(Passivation, PV)层的沟槽深度是新型像素结构中的一个关键参数, 液晶的方位角和倾斜角与沟槽深度具有很强的相关性。通过模拟和实验研究了液晶的在该结构中的配向行为。

一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数, 然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提高, 其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1。

对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时, 两种相位移掩膜和传统掩膜下4 μm/2 μm等间隔线的光强分布。并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况, 最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图。实验结果表明: 自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势。自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用。

介绍一种MICROOLED公司OLED微显示器的驱动控制电路, 重点研究其驱动控制和亮度调节方式。根据与一种用于近眼显示图像源的高温多晶硅液晶微显示器的参数对比, 确定该OLED微显示器可用作近眼显示图像源。

采用天线瞬态辐射理论和数值仿真方法, 分别研究了阵元个数、阵元间距、激励延迟等物理参量对光导天线阵列功率空间合成效率的影响。通过深入分析和对比文献报道的实验数据, 发现在不考虑非线性饱和效应和电磁屏蔽的条件下, 对于轴向排列的偶极子光导阵列, 导致功率合成效率不高的重要原因主要源自: 偶极子的方向性辐射、电磁能量空间耗散和非同步光激励。

针对目前LED驱动电源功率因数不高和效率低等问题, 设计了一款单级PFC反激式LED恒流驱动电源, 其输出功率为40 W。电源采用临界导通模式的AP1661作为主控芯片, 在单级结构上既实现了功率因数的校正, 又实现了DC/DC级的降压、高低压的电气隔离, 并为LED提供了恒定的电流, 保证了LED稳定发光。分析了临界导通模式的单级PFC反激式的特殊电路结构特性, 设计了恒流限压反馈回路, 满足了LED恒流的特殊要求。实验测试结果表明, 该电源功率因数高于0.92, 效率在0.87以上, 在满足功率因数要求的同时实现了高效率和低成本, 符合LED驱动电源发展的趋势。

建立了室内可见光通信系统模型, 针对其信道冲击响应, 分别采用最小二乘(LS)估计方法和最小均方差(MMSE)估计方法对信道进行了理论分析, 并且通过计算机仿真, 对两种不同的估计方法性能进行了比较, 最后在此基础上, 分别对抽头长度和训练序列长度对信道估计的性能影响进行了仿真验证。实验结果表明: 在相同信噪比下, MMSE方法的性能优于LS方法, 但是计算量比LS方法复杂, 而且LS方法性能依赖于噪声的影响, 信噪比越高, LS估计方法的性能越好。同时抽头数越多, 训练序列越长, 信道估计的性能越好, 但也会增加计算的复杂度。

介绍一种便携式光纤辐射测温系统, 整个系统包含了大功率光纤耦合器、传能光纤、光电探测器, 前置放大模块, AD采样模块和信号处理模块等。具体描述了各个模块的作用及数据处理方法, 并对本系统的测试性能做了详细验证。该设计具有便携性, 易用性, 测量准确等优点, 完全可以应用在生长蓝宝石泡生晶体炉的热场测量中。

报道了一种新型的荧光屏的制备方法, 通过调节荧光粉胶体的粘度和含量得到了分辨率高且厚度可调, 发光效率高, 均匀性好的变像管荧光屏。实验表明该类荧光屏符合特种变像管中高性能荧光屏的参数要求, 可以作为特种变像管荧光屏以获得高输出性能。

设计光学薄膜改善ITO图案, 匹配出各个膜层合适的物理厚度, 采用直流磁控溅射和双靶中频反应磁控溅射制备ITO消影膜。经过对样品的测试和实际效果对比, 证明了所设计的ITO消影膜不仅能有效改善ITO图案明显的问题, 在可见光范围内还可以使透过率变均匀, 提高显示效果。

简要分析了影响稳瞄系统稳定精度的因素以及系统的性能需求。针对经典PID控制算法在该系统上存在的缺点和不足, 设计了一种基于量化因子和决策因子自修正的模糊PID控制器, 利用子模糊系统自适应调整量化因子和决策因子。实验结果表明, 该方法克服了经典控制算法存在的不足, 能有效地隔离载体扰动, 系统的稳定精度和动态性能都得到了显著提高。

阐述了光纤电压互感器的基本原理, 并给出了检测信号的解析表达式。对光纤电压互感器的基本原理进行了理论分析, 分析了常用算法中进行小角度近似所引起的检测误差。提出了无小角度近似的检测算法, 利用贝塞尔函数将检测信号进行展开并结合正交矢量互相关检测方法得出有效信号的幅值、相位。在Matlab/Simulink中完成了系统仿真模型的设计, 进行了仿真分析, 并对输入噪声的影响进行了分析。仿真结果表明,该相关检测方法能很好的区分系统的噪声信号和所探测的光信号,整个系统具有良好的可行性。

针对传统长距离模拟微波光链路存在性能参数难以改善的问题, 提出了一种基于反向泵浦拉曼放大器解决超长距离光传输的方法, 并在该方法上建立了模拟链路性能参数的理论模型, 详细论述了链路性能随器件参数变化的演变规律。通过对典型参数的仿真分析, 其结果表明反向拉曼泵浦方式能够极大改善链路的综合性能, 对微波光链路的工程设计和应用提供了理论指导。

采用Afors-het太阳能电池异质结模拟软件, 模拟了不同工作温度下, 微晶硅窗口层对μc-si(p)/c-si(n)/μc-si(p+)异质结太阳能电池性能的影响, 结果表明: 随着微晶硅窗口层帯隙的增加, 转化效率先增加后下降、开路电压不断增加; 掺杂浓度的增加, 电池性能整体呈现先上升后小幅下降的趋势; 厚度的增加, 电池的性能整体上呈现下降的趋势。随着工作温度的增加, 微晶硅窗口层对应的最佳厚度和掺杂浓度值都有明显的减小趋势; 但其对应的最佳帯隙有明显的增加的趋势。该实验结果为在不同温度下工作的电池提供了商业化生产的实验参数。

提出一种误差预补偿的方法, 调整引起的掩模特征形状以实现光罩图形的轮廓调制, 通过数据前期的预补偿, 减少失真, 从而改善微细直角的最终光刻制作结果。

为了实现二氧化碳气体温度的实时、非接触测量, 研究基于可调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS)的温度测量方法。根据单激光器的电流调谐特性和谱线对的选择标准, 选取6241.402828 ｃｍ-1、6242.672190 cm-1处的两条对温度有不同依赖关系的二氧化碳谱线进行分析。针对二次谐波幅度法和一、二次谐波幅度比值法所存在的问题, 提出应用一次谐波信号的TDLAS温度测量方案。首先测量两吸收谱线的一次谐波峰峰值和平均值, 以峰峰值和平均值的比值作为单吸收线的输出, 再以两吸收线输出值之比来实现气体温度的测量。实验结果表明: 在200~1000 K范围内, 气体温度测量误差小于30 K。该温度测量方案可消除光强波动对温度测量产生的影响, 且仅需检测一次谐波信号, 系统结构简单, 性能稳定, 可以满足二氧化碳气体温度实时、非接触测量的需要。

分别研究了顶发射有机发光二极管光输出耦合层、薄膜封装层以及出光界面对光出射强度的影响, 同时综合优化器件的光学性能提出了相应提高硅基OLED器件的性能方法, 提出制备高亮度硅基OLED器件新思路。

为了获得高功率高重频窄脉宽激光输出, 通过双棒串接技术和高重频电光腔倒空技术,实现了百瓦级短脉宽、高重频和高稳定1 064 nm线偏振激光输出。在电源输入电流35 A, 在不加调Q时候, 获得高达426瓦连续线偏振激光输出, 电光转化效率18.8%。在加调Q时, 驱动频率10 kHz的条件下, 获得最高功率240 W线偏振1 064 nm激光输出, 单脉冲能量24 mJ, 脉宽5 ns左右, 峰值功率约4.8 MW。试验结果表明: 通过腔倒空调Q技术和双棒串接技术, 可以实现高功率高重频窄脉宽线偏振1 064 nm激光输出。

为了适应不同舰船雷达分显示功能需求, 提出并设计了一款新型船用雷达分显示器。该设备基于COM EXPRESS计算机模块和可编程逻辑器件进行设计。不仅可以用作原始雷达回波信号处理和显示, 还具备目标标识、记录回放等辅助交互功能, 同时留有多种视频和数据扩展接口。采用标准化、集成化的设计方式, 使得该设备在性能和功能上具有很强的灵活性和扩展性。