研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺参数对SiNx及SiOxNy防潮能力的影响, 并测试了SiNx/SiOxNy叠层薄膜的水汽渗透速率(WVTR)。实验结果表明: 单层SiNx薄膜和SiOxNy薄膜都存在临界厚度, 当膜厚大于临界值时, 继续增大厚度不会明显改善薄膜的WVTR。当沉积温度从50℃提高到250℃, SiNx薄膜的WVTR从0.031g/(m2·day)降至0.010g/(m2·day)。SiOxNy沉积时, 增大N2O通入量对薄膜的WVTR影响不明显, 但可以有效改善薄膜的弯曲性能。最后, 4个SiNx/SiOxNy叠层膜的WVTR下降到了4.4×10-4g/(m2·day)。叠层膜防潮能力的显著提升归因于叠层结构可以有效解耦层与层之间的缺陷, 延长水汽渗透路径。

研究了狭缝光栅开口率和3D串扰之间的关系。先采用固定式的狭缝光栅显示器件进行实验, 发现2%~4%光栅开口率的增加导致了0.2%~2%串扰的增加, 初步验证了“光栅开口率越高, 3D串扰越大”的规律。考虑到2D显示产品的个体性能差异以及在贴合过程中的操作误差都可能对这个结果产生影响, 又用TN 盒制作成活动式狭缝光栅, 通过改变电压来改变狭缝光栅的开口率, 从而在其他条件都一致的情况下, 测试出狭缝光栅透过率和3D串扰之间的关系。对于2视点的裸眼3D设备, 随着控制电压从4 V增大到15 V, 串扰逐步减小了1.6%, 从而最终确认了“开口率越高, 3D串扰越大”的规律。

平板显示中影响色域的两个关键因素为背光源发光光谱特性和彩色滤光片的透过光谱特性。在TFT-LCD的高色域领域, 为了实现BT2020标准, 我们开发了量子点光刻胶替代彩色滤光片的方法。首先合成新型的量子点光刻胶, 将其作为色彩转换膜制备在彩色滤光片下方, 通过背光激发量子点自发光, 可得到色纯度更高的红绿光。研究表明, 自主开发的量子点光刻胶可以有效地进行色转换, 可耐受光刻工艺, 在高温烘烤和碱性显影下, 可保持一定转换效率, 且能实现pattern化, 避免目前用白光直接搭配彩膜的漏光问题, 有效地提高色域。

对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时, 两种相位移掩膜和传统掩膜下4 μm/2 μm等间隔线的光强分布。并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况, 最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图。实验结果表明: 自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势。自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用。

利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜, 通过SEM(扫描电子显微镜)、XRD(X射线衍射仪)、四探针测试仪、分光光度计,分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示: 在纯氩气环境下, 溅射功率为200W, 工作气压为1.5Pa, 在衬底温度为185℃~225℃时, 薄膜的光电特性最好, ITO薄膜的电阻率为3.64×10-4Ω·cm, 透过率为97%。

实现高PPI(单位面积像素个数), 需要更细的线宽和更窄的间距, 这往往受到光刻设备解像力的限制, 本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时, 相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况, 最后, 实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明: 相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍, 并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中, 从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。

介绍了量子点材料的发光原理、基本结构，以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点，越来越受到人们的重视，成为显示领域新的研究热点。

通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析，发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小，TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑到沟道转角处的短路几率问题，小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺，转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。

将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中。与传统的SiNx薄膜(ε≈7)相比，丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面， 其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟，这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率，从而提高显示器的亮度，降低能耗和制作成本。

最近几年，金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点，具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点，总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素，并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法。