在过去的几年里，由于不同频段电磁频谱的传播特性差异、对带宽需求以及技术利用能力提升，无线通信应用的电磁频谱不断提高。在通信领域，为满足无线数据传输需求的爆炸性增长，特别是5G通信的发展，毫米波中低频段应用已经成功实现工程化并开始商业化。而对于以光波为载体的更高频率电磁波的光通信，也已经发展了几十年。在常规无线电波(毫米波)与常规光学(远红外)之间，存在着一段长期未能有效利用的空闲频谱资源，目前被统称为太赫兹频段(01~10 THz)。太赫兹频段在高速无线通信领域具备明显优势，成为有潜力的6G通信核心技术。可以预见，对这项技术的使用将助力6G通信实现网络全覆盖、高度智能化及网络安全性全面提升的愿景。文章主要关注通信领域，重点介绍了太赫兹频段的特点、构建太赫兹系统功能的器件类型与工艺集成实现技术。最后，预测了太赫兹通信技术的一些应用场景，进而显示出该技术对通信领域和人们日常生活的促进作用。

我们所处的物理世界是模拟的。在现代信息与通信技术(ICT)、计算系统中，模拟电子的作用包括物理世界感应与交互、计算、控制、数据转换、通信、供电和测量等环节。以模拟集成电路为主体的模拟微电子器件是当今几乎所有以数字为中心的系统中的关键组件，对未来信息技术的发展至关重要。为了实现以5G、6G通信为代表的新一代ICT、工业40、物联网等信息社会的基础设施建设目标，其首要和必要条件是通过模拟硬件取得根本性突破，实现物理世界与机器交互的智能感知、认知和处理。为此要求模拟电子器件技术在无线信号链集成电路、计算范式与架构、高精度感知控制，以及模拟微电子技术的设计、工艺和封装测试技术、特定应用等方面开展研究，解决诸如计算范式与架构创新、压缩感知、新架构创新所需的工艺技术、毫米波和太赫兹等高频段集成电路开发所带来的各种挑战。文章从无线信号链集成电路、边缘机器学习中的模拟技术、高精度感知与控制、重要工艺创新等方面探讨了模拟微电子及应用技术前沿的最近研究进展，显示了未来模拟电子技术的关键发展趋势。

室温下石墨烯具有电子迁移率高、比表面积大、机械强度高、化学稳定性和热稳定性优异、导电性好等独特性能, 是当今最受关注的二维材料之一。与传统无机氧化物材料相比, 石墨烯气体传感器具有工作温度低、能耗小、恢复性高的优点。文章对两种石墨烯气体传感器的研究进展进行了综述。根据气体选择性不同, 将石墨烯气体传感器分为检测CO和CO2气体传感器。分别对其灵敏度、气体响应灵敏度和响应时间等特性进行分析对比。此研究对此类传感器的应用与推广具有一定的指导意义。

量子芯片是运用量子力学基本原理构建实用化计算机的基础。各国研究团队通过近几年的卓越研究工作, 将硅基量子比特芯片技术发展成量子计算的核心方向之一。文章重点归纳了Si自旋量子比特的主要类型, 分析了可靠量子计算实现所要求的高保真度、长程耦合等指标的关键技术。这些技术的研究表明, 硅是一个能实现全面量子计算发展的可行平台。

通过调制和解调，斩波调制技术可以有效降低放大器的输入噪声和失调电压，提升放大器的共模抑制能力，近年来广泛应用于高性能模拟前端设计。放大器的失调电压和低频噪声被调制到斩波频率，放大器输出会产生较大的纹波，需要进行滤波处理。文章介绍了斩波放大器工作原理及输出纹波的产生机制，总结了目前用于斩波放大器输出纹波抑制的研究成果，讨论了各种相关结构技术的优缺点。这为采用斩波技术的芯片设计研发人员提供了有益参考。

全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。

从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺。通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度。针对这几种钝化工艺对SiC/SiO2界面态密度的影响进行讨论,分析几种钝化工艺的优劣,并重点介绍了氧化后退火处理和氮化处理两种钝化方法。研究发现,NO氮化工艺能有效降低界面态密度,提高界面可靠性。该工艺适用于SiC MOS器件的制造。

NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储。三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题。闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正。但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时,错误将无法被纠正,因此研究人员提出了多种基于NAND闪存的错误缓解技术作为ECC的补充方案。本文介绍了NAND闪存的工作原理和错误模式,对最新的错误缓解技术进行综述,为设计更加可靠的存储解决方案提供了有益参考。

相较于传统的压电单晶声表面波器件，薄膜型声表面波器件具有成本低、易小型化、易集成化等优点。文章对几种薄膜型声表面波器件的研究进展进行了综述。首先，总结了几种常见的薄膜制备方法。然后，根据应用范围的不同将薄膜型声表面波器件分为高频器件和高温器件。根据这两大类型，综述了近年来较典型的五种薄膜型声表面波器件，介绍其制备流程、基本结构和高频/高温等特性。最后，对五种薄膜型声表面波器件进行对比，并对薄膜型声表面波器件的未来发展提出展望。该综述对薄膜型声表面波器件的实际应用及推广具有一定借鉴意义。

通过分析我国核心元器件长期“跟仿”存在的问题, 提出自主定义元器件的概念, 给出了核心元器件自主定义的分类方法。并结合元器件自主定义分类, 给出了实施途径及关键技术, 分析了不同等级核心元器件自主定义实现案例, 最后给出了开展核心元器件自主定义工作相关建议。