应红 1,4温阿利 2,*周岁茹 3海雪 2[ ... ]黄鹤飞 2
作者单位
摘要
1 苏州热工研究院有限公司苏州 215004
2 中国科学院上海应用物理研究所上海 201800
3 西南石油大学 新能源与材料学院成都 610500
4 国家核电厂安全及可靠性工程技术研究中心苏州 215004
镍、铁和钨基合金常被用来作为反应堆的候选结构材料,在反应堆中面临中子辐照的严苛服役环境。本文采用分子动力学方法研究了金属镍、铁、钨三种金属材料的辐照级联过程,获得材料在不同温度(300?500 K)下、不同初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA)能量(<20 keV)沿不同晶格方向(<135>、<122>和<100>)入射的辐照级联损伤过程。结果表明:金属镍和铁的稳态辐照缺陷数相当,当PKA能量较低(<5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数比金属铁略少;而当PKA能量较高(>5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数逐渐超过铁;在相同辐照条件下,金属钨的稳态辐照缺陷数最少,表现出更为良好的抗辐照性能。通过分析三种金属辐照级联过程中不同阶段的缺陷复合率及缺陷存活率,进一步理解其耐辐照损伤能力的差异。相关计算结果为理解不同金属的辐照性能提供数据支撑,作为金属初级辐照损伤数据集,为更大尺度的速率理论和团簇动力学等模拟材料辐照效应提供微观缺陷结构和参数。
   中子辐照 初级辐照损伤 分子动力学 Nickel Iron Tungsten Neutron irradiation Primary radiation damage Molecular dynamics 
核技术
2023, 46(12): 120301
王广源 1,2刘磊 1,2,*刘仁洪 1,2康玲 1,2[ ... ]陈佳鑫 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
2 散裂中子源科学中心,广东 东莞 523803
中国散裂中子源(CSNS)靶站质子束窗位于环到靶站输运线(RTBT)与靶站交接面,起到隔离加速器高真空和靶站氦气环境的作用。随着束流功率提高,目前质子束窗单层膜结构形式已无法满足CSNS-II 500 kW的高功率需求,因此开展CSNS-II质子束窗研制,设计出双层膜中间通水的冷却结构,完成质子束窗双层膜的薄膜半径、薄膜厚度、水冷槽长度与宽度、对流换热系数等各参数对质子束窗温升与热应力的影响分析。通过冷却水需求分析得出,冷却水流速需大于15 L/min。通过质子束窗主体的流固耦合分析,消除箱体内部死水区域。最终优化后质子束窗薄膜位置最高温度47.8 ℃,薄膜位置最高热应力30.758 MPa。通过FLUKA软件对质子束窗材料的辐照损伤性能进行分析,在每年5000 h工作时长、500 kW高功率束流的辐照下,辐照损伤DPA计算值为1.285 DPA,质子束窗的安全使用寿命在7年以上。
质子束窗 热分析 流固耦合分析 辐照损伤 proton beam window thermal analysis fluid structure coupling analysis irradiation damage 
强激光与粒子束
2023, 35(12): 124005
作者单位
摘要
1 华北水利水电大学 能源与动力工程学院,郑州 450011
2 中国科学技术大学 核科学技术学院,合肥 230026
采用分子动力学方法模拟了金属铜的氦辐照损伤,在原子尺度上观察氦辐照下铜金属微结构的变化过程,分析并对比了单晶铜与多晶铜的微结构和力学性能随氦原子数增加的变化情况。结果表明,随原子数增加,单晶铜的缺陷对数目呈规律性地先增加后减少,且峰值不断增高;多晶铜的缺陷对数目呈上升趋势,但波动规律不明显。拉伸性能测试显示,氦辐照会导致铜的屈服强度降低,当氦原子分数达0.54%时,单晶铜和多晶铜的屈服强度分别下降46.94%和49.2%。
 辐照损伤 分子动力学模拟  helium radiation damage molecular dynamics simulation copper 
强激光与粒子束
2023, 35(7): 076001
作者单位
摘要
1 北京玻璃研究院有限公司, 北京 101111
2 北京首量科技股份有限公司, 北京 101111
本文使用垂直坩埚下降法制备了40 mm×40 mm×350 mm的BaF2:5%Y(摩尔分数)晶体, 并对晶体样品进行了掺杂含量、闪烁性能、光学性能和辐照损伤的研究。距离籽晶端0~300 mm范围内的Y3+掺杂浓度(摩尔分数)为5.1%±0.9%。晶体样品的平均光输出为2 100 ph/MeV, 在662 keV处的最优能量分辨率为10.1%。经60Co放射源辐照累积剂量1 Mrad后, 样品在波长220 nm处的透过率由辐照前的87.3%下降至83.5%, 在波长300 nm处的透过率由91.8%下降至89.9%。BaF2:Y晶体的抗辐照性能差于BaF2晶体, 经过累积剂量辐照后, BaF2:Y晶体对波长300 nm光的吸收明显增强。
闪烁晶体 坩埚下降法 光输出 辐照损伤 能量分辨率 BaF2:Y BaF2:Y scintillation crystal Bridgman method light output irradiation damage energy resolution 
人工晶体学报
2023, 52(4): 584
作者单位
摘要
1 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
2 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
3 西安高科技研究所, 西安 710024
CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理, 进而开展抗辐射加固设计, 有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况, 结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础, 从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法, 分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题。
CMOS图像传感器 辐照损伤 总剂量效应 位移效应 CIS radiation damage total ionizing dose effects displacement effect 
半导体光电
2022, 43(5): 839
欧阳琴 1,2王艳菲 1,2徐剑 1,2李寅生 1[ ... ]黄庆 1,2,*
作者单位
摘要
1 1.中国科学院 宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201
2 2.先进能源科学与技术广东省实验室, 惠州 516000
3 3.中国科学院 近代物理研究所, 兰州 730000
碳化硅纤维增强碳化硅(SiCf/SiC)复合材料具有低中子毒性、耐中子辐照和耐高温氧化等特性, 成为先进核能系统重要的候选结构材料。近年来, 国内外学术界和工业界针对核用SiCf/SiC复合材料开展了大量研究工作, 取得了一系列重要的研究进展。针对SiCf/SiC复合材料面向核用所关注的重点方向, 如核用SiC纤维、纤维/基体界面相、复合材料制备工艺、数值仿真、腐蚀行为和表面防护、连接技术以及辐照损伤等方面, 本文进行了综述和讨论, 并针对核用要求指出了SiCf/SiC复合材料存在的主要问题和可能的解决思路, 希望对该材料的进一步研发和最终应用有所裨益。
复合材料 结构材料 核材料 碳化硅 辐照损伤 综述 composite material structural material nuclear material silicon carbide radiation damage review 
无机材料学报
2022, 37(8): 821
作者单位
摘要
1 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
2 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105
3 西安高科技研究所, 西安 710025
4 中国电子科技集团公司第十八研究所, 天津 300384
5 上海空间电源研究所, 上海 200245
文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池 辐照损伤 位移效应 抗辐射加固 电子辐照 质子辐照 GaInP/GaAs/Ge triplejunction solar cells radiation damage displacement effect radiation hardening electron radiation proton radiation 
半导体光电
2022, 43(3): 490
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,四川 绵阳 621900
随SPRR-300研究堆约30 a的长时间运行,位于活性区附近的石墨箱体经历了长期的中子辐照。在长期服役的石墨箱体上取样,研究了其热学、力学以及微观结构变化,并与商用IG110,NG-CT-10石墨进行了对比。研究结果表明,经长时间低剂量率的中子辐照后,SPRR-300堆内随堆辐照石墨的晶格中出现了明显的辐照损伤缺陷,这些缺陷主要为位错环、层错、孔洞和微裂纹等,并出现了一定程度的非晶化。这些辐照损伤缺陷直接或间接地引起了石墨热学、力学性能的变化,主要表现为热膨胀系数、热扩散系数、抗压强度和抗弯强度的下降以及弯曲弹性模量的上升。
SPRR-300研究堆 石墨 中子辐照 辐照损伤 微观结构 SPRR-300 research reactor graphite neutron irradiation irradiation damage microstructure 
强激光与粒子束
2022, 34(5): 056002
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团有限公司, 北京 100846
2 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验。实验结果表明, PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明, 不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异。基于实验与分析结果, 提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案。
辐照损伤 总剂量 噪声 匹配特性 抗辐射设计 radiation damage total dose noise matching characteristics radiation-harden design 
微电子学
2021, 51(1): 121
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
2 模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060
全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。
1/f噪声 高k介质 热载流子 辐照损伤 1/f noise MOSFET MOSFET high k dielectric hot-carrier radiation damage 
微电子学
2021, 51(3): 390

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