1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所，重庆400060
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兰姆波谐振器(LWR)作为一种新兴的压电微机电系统(MEMS)声学器件，同时具有高工作频率、高机电耦合系数、高品质因数值及低功耗等特点，其制造工艺与集成电路工艺兼容，可在单片晶圆上实现多频率器件。基于LWR的声学滤波器是实现高性能射频前端组件的有效解决方案之一，能够满足未来通信设备多频率及集成化的发展要求，其相关研究已成为微声器件领域的热点。该文简要介绍了兰姆波的基本原理，综述了近年来基于氮化铝(AlN)薄膜和铌酸锂薄膜(LNOI)的压电MEMS兰姆波器件研究取得的最新成果，并讨论了压电MEMS兰姆波器件的发展趋势。
兰姆波谐振器(LWR) 压电微机电系统(MEMS) 横向激励声体波谐振器(XBAR) 高次谐波组合模式谐振器(CORs) 截面拉梅模式谐振器(CLMRs) Lamb wave resonator piezoelectric micro-electro-mechanical system(MEMS laterally-excited bulk-wave resonators (XBAR) combined overtone resonators(CORs) cross-sectional-Lamé-mode resonator (CLMRs)
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对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验。实验结果表明, PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强。对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析。分析结果表明, 不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异。基于实验与分析结果, 提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案。
辐照损伤 总剂量 噪声 匹配特性 抗辐射设计 radiation damage total dose noise matching characteristics radiation-harden design
