一种抗总剂量辐射带隙基准电压源
[1] LIU L X, MU J C, ZHU Z M. A 0.55-V, 28-ppm/℃, 83-nW CMOS sub-BGR with ultralow power curvature compensation [J]. IEEE Trans Circ & Syst I: Regu Pap, 2018, 65(1):95-106.
[2] 王娜, 吴唐政, 谢亮, 等. 一种带曲率补偿的电流模式基准电压源 [J]. 微电子学, 2019, 49(3): 342-345.
[3] 符征裕, 段吉海, 韦胶二, 等. 一种低功耗高PSRR CMOS基准电压源 [J]. 微电子学, 2020, 50(4): 477-481.
[4] DUAN Q Z, ROH J J. A 1.2-V 4.2-ppm/℃ high-order curvature-compensated CMOS bandgap reference [J]. IEEE Trans Circ & Syst I: Regu Pap, 2015, 62(3): 662-670.
[5] 侯德权, 周莉, 陈敏, 等. 一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源 [J]. 微电子学, 2019, 49(1): 18-21.
[6] SHRIVASTAVA A, CRAIG K, ROBERTS N E, et al. A 32 nW bandgap reference voltage operational from 0.5 V supply for ultra-low power systems [C]// IEEE ISSCC. San Francisco, CA, USA. 2015: 1-3.
[7] 王鹏. 基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计 [J]. 微处理机, 2016, 37(3): 13-16.
[8] 刘智, 杨力宏, 姚和平, 等. 抗辐射加固CMOS基准设计 [J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(1): 126-128.
[9] RAZAVI B. 模拟集成电路设计 [M]. 陈贵灿,程军,张瑞智,等译. 西安: 西安交通大学出版社,2017: 462-470.
[10] GABRIEL A R. 集成基准源电路设计 [M]. 黄晓宗, 译. 北京: 科学出版社, 2013: 8-9.
[11] GRAY P R, HURST P J, LEWIS S H, et al. 模拟集成电路的分析与设计 [M]. 张晓林, 译. 北京: 高等教育出版社, 2005: 301-305.
[12] 胡波, 李遥, 曾莉. 一种星用抗辐射加固电压基准源的研制 [C]// 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 沈阳, 中国. 2009: 30-34.
[13] GROMOV V, ANNEMA A J, KLUIT R, et al. A radiation hard bandgap reference circuit in a standard 0.13 μm CMOS technology [J]. IEEE Trans Nucl Sci, 2007, 54(6): 2727-2733.
胡永菲, 王忠焰, 杨洋, 杜宇彬, 刘虹宏. 一种抗总剂量辐射带隙基准电压源[J]. 微电子学, 2022, 52(4): 562. HU Yongfei, WANG Zhongyan, YANG Yang, DU Yubin, LIU Honghong. An Anti-TID Radiation Bandgap Voltage Reference[J]. Microelectronics, 2022, 52(4): 562.