设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自偏置电路。将基准电压源用于12位100 kS/s采样率A/D转换器的一个单元,进行了流片和测试。结果表明,经总剂量辐射试验后,该基准电压源的输出电压变化较小。在-55 ℃~125 ℃范围内,辐射前的温度系数为1.53×10-5/℃,辐射后的温度系数为1.71×10-5/℃。

设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110?nm的CMOS标准工艺实现，使用Cadence软件进行仿真。仿真表明，在室温下，电源电压为3.3 V时，输出基准电压为1.2?V； 在-40?℃~85?℃范围内温度漂移系数为33?ppm/℃；电路启动时间为0.5?μs；电源电压抑制比在低频时达到-61?dB；功耗为0.967?mW；版图面积为50?μm×180?μm。该电路结构简单，易于集成，可应用于高速、高精 确度的数模转换器(DAC)。

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能，本文基于标准CMOS(3.3 V)的chrt35rf 0.35 μm工艺，设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源，其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻，通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变，进而改变电路中的电阻比值，实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真，结果表明，在-25~125 ℃的工作温度范围内，带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0 ppm/℃，输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7 ppm/℃，输出基准电压变化为0.95~2.67 V，低频时基准电压的电源抑制比达到73.13 dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节，且调节范围较大。

设计了一种用于新型非制冷红外焦平面阵列读出电路的低温漂、无电阻基准电流源。首先通过二阶补偿的无电阻带 隙基准电路得到基准电压VREF ，然后将其接到一个NMOS输出管上；通过调节VREF 使得该输出管工作在零温 漂区，最终产生一个与温度无关的基准电流IREF 。在CSMC 0.5m CMOS工艺条件下，采用spectre软件进行了模拟验证。 测试结果表明，在0℃ ～ 120℃的温度变化范围内，输出电流的波动小于4A；当电源电压为3.3V时，整个电路的功 耗仅为0.94mW。

设计了一种用于新型非制冷IRFPA 读出电路的高精度、无电阻带隙基准低电压源电路。该电路通过Buck’s 电压转移单元代替电阻，并且采用正比与Tα的电流对VBE 进行高阶补偿。在0.5 μm CMOS工艺条件下，采用spectre 进行模拟验证。模拟仿真结果表明：该电路结构具有较高的电源抑制比和低的温度系数：在电源电压从2.8 V 变化到4.2 V 时，输出电压波动小于3 mV；在0～75℃温度变化范围内，输出电压的最大变化范围为±0.75 mV。