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研究论文

基于硅微机械加工波导W波段功率合成放大器

成海峰 ^1,2朱翔 ²候芳 ^1,2胡三明 ^1,*[ ... ]石归雄 ²

作者单位

摘要

¹ 东南大学毫米波国家重点实验室，江苏南京 210096

² 南京电子器件研究所，江苏南京 210016

基于硅微机械加工工艺，设计并制作一款W波段4路硅基波导功分/合成器。通过在8英寸的硅晶圆上采用干法刻蚀和晶圆级键合等工艺途径实现了硅基波导结构。根据硅微机械加工工艺的特点，设计了一种基于H面T型结和3dB耦合桥结构的波导功分/合成器。该功分/合成器表现出的损耗为0.25 dB。最后，采用该硅基功分/合成器对4只2W的GaN功率单片进行了功率合成，研制了W波段硅基合成功率放大器。测试结果表明，在92∼96 GHz的频率范围内，输入功率30 dBm的条件下，输出功率在7.03 W至8.05 W之间，典型电源附加效率为15%，平均合成效率为88%。

W波段硅微机械加工功率分配/合成器固态功率放大器氮化镓 W band silicon micromachined power splitter/combiner solid state power amplifier（SSPA） GaN.

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红外与毫米波学报

2021, 40(2): 178

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