作者单位
摘要
1 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
2 西北工业大学 微电子学院, 西安 710129
3 中国科学院大学 微电子学院, 北京 100029
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电流、关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积的影响。通过仿真实验和计算分析发现,Si/Ge异质结DGTFET的开态/关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积随Pocket区掺杂浓度增大而增大,而Pocket区厚度对器件性能没有明显影响。研究结果为TFET器件的直流、频率特性优化提供了指导。
异质结 双栅 隧穿场效应晶体管 数值仿真 heterojunction double-gate TFET numerical simulation 
微电子学
2021, 51(3): 413
作者单位
摘要
1 中国科学院大学,北京 100049
2 中国科学院 微电子研究所,北京 100029
以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18 μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计,通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm,像素单元版图面积为4.3 μm×4.3 μm;新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸,即300 nm/600 nm,版图面积为3.91 μm×3.91 μm,相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。
硅基OLED 像素电路 数字驱动 开关管尺寸 OLED-on-silicon pixel circuit SRAM SRAM digital driving switch size 
液晶与显示
2021, 36(5): 680

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