以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例，分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路，用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比，其数据写入不受开关管尺寸的影响，可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18 μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计，通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm，像素单元版图面积为4.3 μm×4.3 μm；新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸，即300 nm/600 nm，版图面积为3.91 μm×3.91 μm，相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。