1 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400060
2 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
3 中国电子科技集团公司 第五十八研究所, 江苏 无锡 214035
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷QBOX和QFOX。QFOX增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。QBOX降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
总剂量辐射 击穿电压 辐射陷阱电荷 total-ionizing-dose effect SOI pLDMOS SOI pLDMOS BV radiation trap charge
1 中国电子科技集团公团 第五十八研究所， 江苏 无锡 214035
2 株洲中车时代半导体有限公司， 湖南 株洲 412000
3 电子科技大学 功率集成技术实验室， 成都 610054
4 电子科技大学 广东电子信息工程研究院， 广东 东莞 523808
提出了一种基于体硅的表面超结横向绝缘栅双极晶体管(SSJ LIGBT)。分析了工艺参数注入剂量和注入能量对器件性能的影响，基于耐压需求的考虑，设计并优化了SSJ LIGBT器件及其终端。对该SSJ LIGBT进行了击穿特性、输出特性和转移特性的测试。测试结果表明，该SSJ LIGBT的耐压达到693 V，比导通电阻仅为6.45 Ω·mm2。
横向绝缘栅双极型晶体管 表面超结 终端设计 耐压 比导通电阻 LIGBT surface superjunction termination technology withstand voltage specific on-resistance
