锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响，并结合原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)和表面轮廓仪测试对抛光片的表面粗糙度进行了表征和优化。结果表明，当pH值为8、氧化剂比例为0.75%、抛光液流速为200 L/min时，InSb晶片的表面粗糙度为1.05 nm(AFM)，同时晶片的抛光宏观质量较好。

锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求，所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段；采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨；通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度；通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时，使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明，采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片，能够满足InSb红外探测器制备需求。

在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3～5 m波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10 m、翘曲度小于等于20 m、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 in InSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。

机械抛光会给InSb 晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的澳甲醇溶液对机楠抛光后的InSb 晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的I凶b 晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV) 、粗糙度、表面组分和杂质对比分析。实验结果表明,用低浓度的澳甲醇溶液对InSb 晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面。晶片表面的粗糙度为6 .443日m , TTV 为3 .4 μm , In/Sb 原子比接近1 。与传统的腐蚀液CP4-A 、CP4-B 相比,用低浓度的澳甲醇溶液对InSb 晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV ,且In/饰的原子比更接近于1 。