中国电子科技集团公司第十一研究所, 北京 100015
锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响，并结合原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)和表面轮廓仪测试对抛光片的表面粗糙度进行了表征和优化。结果表明，当pH值为8、氧化剂比例为0.75%、抛光液流速为200 L/min时，InSb晶片的表面粗糙度为1.05 nm(AFM)，同时晶片的抛光宏观质量较好。
锑化铟 表面粗糙度 pH值 氧化剂比例 抛光液流速 抛光宏观质量 indium antimonide surface roughness pH value proportion of oxidant flow rate of the polishing solution polishing macro quality
采用原子层沉积技术制备 Al2O3薄膜作为 InSb材料介电层，制备了 MIS器件，研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用 C-V测试表征了 MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性，结果表明 Al2O3介电层引入了表面固定正电荷，200℃和 300℃退火处理可有效减小慢界面态密度，利用 Terman法得到了禁带界面态密度分布，表明 200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对 C-V曲线滞回的原因进行了分析，认为 Al2O3介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了 200℃～300℃的退火处理可有效改善 InSb/Al2O3界面质量。
锑化铟 C-V特性 金属化后退火 原子层沉积 Indium Antimonide, C-V, post metalization annealin
1 1. 中国空空导弹研究院，河南 洛阳 471009
2 2. 红外探测器技术航空科技重点实验室，河南 洛阳 471009
3 3. 河南省锑化物红外探测器工程技术研究中心，河南 洛阳 471009
InSb单晶是制备工作于中波红外大气窗口（3~5 μm）光子型探测器的典型光电转换材料，采用该单晶材料所制备的InSb红外探测器以高性能、大规格像元阵列、高稳定性和相对低成本为特点，广泛应用于军用红外系统和高端民用红外系统领域。然而，InSb 红外探测器响应波长范围固定不可调节、响应仅限于短中波红外而对长波红外无响应、相对有限的载流子寿命制约器件高温工作性能等固有特点，限制了该型探测器在工程中的广泛应用。文中系统地介绍了基于InSb材料人们为改进上述不足所开展的新型材料及其光电响应方面的研究结果。这些材料主要包括：采用合金化方法改变InSb组分形成新型多元合金材料、采用量子结构形成新型低维探测材料。对于新型合金材料，介绍了材料的合金相图、带隙与合金组分的关系、带隙的温度关联特性，并给出采用该材料制备器件的典型光电性能；对于量子结构材料，介绍了材料的制备方法、带隙与量子尺寸的关系，以及采用该材料制备原型器件的典型光响应特性。最后，对新型InSb基红外探测材料与器件的发展趋势、关键问题、研究重点进行了探讨。
锑化铟 红外探测 红外材料 多元合金 纳米材料 indium antimonide infrared detection infrared material multicomponent alloy nanometer material 红外与激光工程
2022, 51(1): 20210811
1 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院，广西 桂林 541004
2 广西光电信息处理重点实验室，广西 桂林 541004
提出了由一个竖直的锑化铟（InSb）棒和两个水平的InSb棒组成的F型电磁感应透明结构。利用时域有限积分法计算了该结构的电磁特性，计算后得知，竖直InSb棒为电磁感应透明中的明模，两个水平InSb棒为暗模。本文通过改变两个水平InSb棒的距离以及竖直InSb棒与水平InSb棒的间距研究了电磁感应透明窗口的变化趋势，结果发现，电磁感应透明窗口的透射振幅出现了从开到关的状态调制。同时，由于InSb具有温度敏感特性，因此升高InSb的温度，可使电磁感应透明窗口的中心频率向高频移动，实现了对太赫兹波的主动调谐。该研究结果在光信号处理、光存储和慢光器件等方面具有潜在的应用前景。
光谱学 太赫兹 电磁感应透明 锑化铟 主动调制 激光与光电子学进展
2021, 58(5): 0530002
基于开口谐振环结构设计了多频带太赫兹波调制器, 并在谐振环的开口处及两侧均填充温敏介质锑化铟(InSb), 研究了锑化铟的电磁性质随温度的变化、 等效电感的组数对共振频带数目的影响以及锑化铟不同的填充方式对太赫兹波调制特性随温度的变化规律。 研究结果表明, 当环境温度从160 K上升到350 K时, 锑化铟的载流子浓度和等离子体频率逐渐增大, 然而等效介电常数却不断减小; 每增加一组等效电感, 太赫兹波调制器都会相应的增加一个共振频带; 在调制器开口处和两侧均填充锑化铟时, 当环境温度在160～350 K变化时, 温度对太赫兹波的共振频率和共振幅度的调制效果比仅在开口处或者两侧填充锑化铟时更明显, 且随着温度的升高, 每个共振频带所对应的共振频率均明显增大。
太赫兹超材料 多频带 锑化铟 温控 Metamaterials Multi-bands Indium antimonide Thermal control 光谱学与光谱分析
2017, 37(5): 1334
西北核技术研究所 激光与物质相互作用国家重点实验室， 西安 710024
基于光电导探测原理，分析了影响室温光导型InSb探测器在中红外激光功率参数测量中的因素，得到了材料掺杂数密度、环境温度对探测器暗电阻、光谱响应率和光谱探测率的影响规律；开展了探测器在强激光辐照下的热效应理论模拟和实验研究，模拟分析了探测器在激光辐照下的动态响应特性。结果表明：针对测量系统中所使用的探测器，在激光功率密度小于4 W/cm2时，激光热效应对测量结果的影响可忽略；研制了相应的恒流源驱动电路，实现了中红外高能激光功率参数的探测。
高能激光 P型光导 InSb探测器 暗电阻 光谱响应率 光谱探测率 high energy laser P-type indium antimonide photoconductor dark resistance spectral responsivity spectral detectivity
