人工微结构和介观物理国家重点实验室， 北京大学物理学院， 北京100871
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag)， 制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si， 观测到了可见区的电致发光。 发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度， 还明显地移动电致发光的峰位。 Ag含量越高， 颗粒越大， 发光峰位越红移。 氧化硅中的发光中心与纳米Ag 间的电磁相互作用， 可用来定性解释这一实验结果。 这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。
电致发光 Ag 纳米颗粒 局域表面等离激元 Electroluminescence Ag nanocrystal Surface plasmon 光谱学与光谱分析
2011, 31(9): 2324
1 电子科技大学,应用物理系,四川,成都,610054
2 Department of Nuclear Engineering and Radiological Sciences, University of Michigan,Ann Arbor,Michigan 48109,USA
3 北京大学,电子显微镜实验室,北京,100871
用大束流加速器和透射电子显微镜研究了Zr-4合金在310℃和350℃下的质子辐照效应.当质子能量为2 MeV,在310℃和350℃下质子辐照产生原子离位损伤达5dpa(注量率为8.5×1013cm-2·s-1),辐照前后的明场像、高分辨相和电子衍射花样均表明:在310℃辐照产生原子损伤达到5dpa,沉淀相Zr(Cr,Fe)2边缘5～10 nm的区域已经非晶化,而在350℃时质子辐照却没有非晶化发生.沉淀相Zr(Cr,Fe)2的元素分布图像和浓度分布表明,铁元素向基体扩散并且聚集在非晶化边界区域.
锆-4合金 质子辐照效应 非晶化 透射电镜 元素分布 原子离位损伤 Zircaloy 4 Irradiation Amorphization TEM observation Elemental redistribution Atom dispacement damage
